DiodesZetex BSS123-7-F MOSFET

Код товара RS: 738-4926Бренд: DiodesZetexПарт-номер производителя: BSS123-7-F
brand-logo

Техническая документация

Характеристики

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

170 мА

Максимальное напряжение сток-исток

100 В

Тип корпуса

SOT-23

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток

10 Ω

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

2V

Максимальное рассеяние мощности

300 мВт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-20 В, +20 В

Материал транзистора

Кремний

Количество элементов на ИС

1

Длина

3мм

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Ширина

1.4мм

Высота

1.1мм

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Информация о товаре

N-Channel MOSFET, 100V to 950V, Diodes Inc

MOSFET Transistors, Diodes Inc.

тг 1 788,00

тг 17,88 Each (In a Pack of 100) (ex VAT)

DiodesZetex BSS123-7-F MOSFET
Select packaging type

тг 1 788,00

тг 17,88 Each (In a Pack of 100) (ex VAT)

DiodesZetex BSS123-7-F MOSFET

Информация о наличии не успела загрузиться

Select packaging type

Информация о наличии не успела загрузиться

КоличествоЦена единицыPer Упаковка
100 - 400тг 17,88тг 1 788,00
500 - 900тг 13,41тг 1 341,00
1000 - 2400тг 13,41тг 1 341,00
2500 - 4900тг 13,41тг 1 341,00
5000+тг 13,41тг 1 341,00

Техническая документация

Характеристики

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

170 мА

Максимальное напряжение сток-исток

100 В

Тип корпуса

SOT-23

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток

10 Ω

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

2V

Максимальное рассеяние мощности

300 мВт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-20 В, +20 В

Материал транзистора

Кремний

Количество элементов на ИС

1

Длина

3мм

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Ширина

1.4мм

Высота

1.1мм

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Информация о товаре

N-Channel MOSFET, 100V to 950V, Diodes Inc

MOSFET Transistors, Diodes Inc.