Diodes Inc Dual N-Channel MOSFET, 115 mA, 60 V, 6-Pin SOT-363 2N7002DW-7-F
Техническая документация
Характеристики
Brand
DiodesZetexТип канала
N
Максимальный непрерывный ток стока
115 мА
Максимальное напряжение сток-исток
60 В
Тип корпуса
SOT-363
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Число контактов
6
Максимальное сопротивление сток-исток
13,5 Ω
Номер канала
Поднятие
Максимальное пороговое напряжение включения
2V
Максимальное рассеяние мощности
200 мВт
Конфигурация транзистора
Изолированный
Максимальное напряжение затвор-исток
-20 В, +20 В
Ширина
1.35мм
Материал транзистора
Кремний
Количество элементов на ИС
2
Длина
2.2мм
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Высота
1мм
Информация о товаре
Dual N-Channel MOSFET, Diodes Inc.
MOSFET Transistors, Diodes Inc.
тг 2 682,00
тг 107,28 Each (In a Pack of 25) (ex VAT)
Стандартная упаковка
25
тг 2 682,00
тг 107,28 Each (In a Pack of 25) (ex VAT)
Информация о наличии не успела загрузиться
Стандартная упаковка
25
Информация о наличии не успела загрузиться
| Количество | Цена единицы | Per Упаковка |
|---|---|---|
| 25 - 100 | тг 107,28 | тг 2 682,00 |
| 125 - 225 | тг 53,64 | тг 1 341,00 |
| 250 - 475 | тг 53,64 | тг 1 341,00 |
| 500 - 1225 | тг 53,64 | тг 1 341,00 |
| 1250+ | тг 35,76 | тг 894,00 |
Техническая документация
Характеристики
Brand
DiodesZetexТип канала
N
Максимальный непрерывный ток стока
115 мА
Максимальное напряжение сток-исток
60 В
Тип корпуса
SOT-363
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Число контактов
6
Максимальное сопротивление сток-исток
13,5 Ω
Номер канала
Поднятие
Максимальное пороговое напряжение включения
2V
Максимальное рассеяние мощности
200 мВт
Конфигурация транзистора
Изолированный
Максимальное напряжение затвор-исток
-20 В, +20 В
Ширина
1.35мм
Материал транзистора
Кремний
Количество элементов на ИС
2
Длина
2.2мм
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Высота
1мм
Информация о товаре