Cypress Semiconductor S34MS01G100BHI000 Чип флеш-памяти

Код товара RS: 182-0118Бренд: Cypress SemiconductorПарт-номер производителя: S34MS01G100BHI000
brand-logo
View all in Флэш-память

Техническая документация

Характеристики

Brand

Cypress Semiconductor

Объем памяти

1Гбит

Тип интерфейса

ONFI

Тип корпуса

BGA

Число контактов

63

Организация

1М x 8 бит

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Тип ячейки

И-НЕ

Минимальное рабочее напряжение питания

1,7 В

Максимальное рабочее напряжение питания

1.95 V

Размеры

11 x 9 x 0.75мм

Количество слов

1M

Количество бит на слово

8бит

Минимальная рабочая температура

-40 °C

Максимальная рабочая температура

+85 °C

Информация о наличии не успела загрузиться

Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)

Информация о наличии не успела загрузиться

P.O.A.

Cypress Semiconductor S34MS01G100BHI000 Чип флеш-памяти

210

Доступно в кратности 210
210P.O.A.
420P.O.A.
630P.O.A.
840P.O.A.
1050P.O.A.
1260P.O.A.
1470P.O.A.
1680P.O.A.
1890P.O.A.
2100P.O.A.
2310P.O.A.
2520P.O.A.
2730P.O.A.
2940P.O.A.
3150P.O.A.

P.O.A.

Cypress Semiconductor S34MS01G100BHI000 Чип флеш-памяти
Информация о наличии не успела загрузиться

210

Доступно в кратности 210
210P.O.A.
420P.O.A.
630P.O.A.
840P.O.A.
1050P.O.A.
1260P.O.A.
1470P.O.A.
1680P.O.A.
1890P.O.A.
2100P.O.A.
2310P.O.A.
2520P.O.A.
2730P.O.A.
2940P.O.A.
3150P.O.A.

Техническая документация

Характеристики

Brand

Cypress Semiconductor

Объем памяти

1Гбит

Тип интерфейса

ONFI

Тип корпуса

BGA

Число контактов

63

Организация

1М x 8 бит

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Тип ячейки

И-НЕ

Минимальное рабочее напряжение питания

1,7 В

Максимальное рабочее напряжение питания

1.95 V

Размеры

11 x 9 x 0.75мм

Количество слов

1M

Количество бит на слово

8бит

Минимальная рабочая температура

-40 °C

Максимальная рабочая температура

+85 °C