Cypress Semiconductor S34ML04G100TFI000 Флэш-память
Техническая документация
Характеристики
Объем памяти
4Гбит
Тип интерфейса
ONFI 1.0
Тип корпуса
Тонкий корпус с уменьшенным расстоянием между выводами
Число контактов
48
Организация
256М x 16 бит, 512М x 8 бит
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Тип ячейки
SLC NAND
Минимальное рабочее напряжение питания
2,7 В
Максимальное рабочее напряжение питания
3,6 В
Длина
18.5мм
Высота
1.05мм
Ширина
12.1мм
Размеры
18.5 x 12.1 x 1.05мм
Количество слов
256M, 512M
Минимальная рабочая температура
-40 °C
Количество бит на слово
8 bit, 16 bit
Максимальная рабочая температура
+85 °C
Максимальное время произвольного доступа
25мкс
Информация о товаре
SLC NAND Flash Memory, Cypress Semiconductor
NAND Flash Memory
Информация о наличии не успела загрузиться
Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)
P.O.A.
1
P.O.A.
1
Техническая документация
Характеристики
Объем памяти
4Гбит
Тип интерфейса
ONFI 1.0
Тип корпуса
Тонкий корпус с уменьшенным расстоянием между выводами
Число контактов
48
Организация
256М x 16 бит, 512М x 8 бит
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Тип ячейки
SLC NAND
Минимальное рабочее напряжение питания
2,7 В
Максимальное рабочее напряжение питания
3,6 В
Длина
18.5мм
Высота
1.05мм
Ширина
12.1мм
Размеры
18.5 x 12.1 x 1.05мм
Количество слов
256M, 512M
Минимальная рабочая температура
-40 °C
Количество бит на слово
8 bit, 16 bit
Максимальная рабочая температура
+85 °C
Максимальное время произвольного доступа
25мкс
Информация о товаре