Cypress Semiconductor S34ML01G200BHI000 Чип памяти SRAM

Код товара RS: 181-8291Бренд: Cypress SemiconductorПарт-номер производителя: S34ML01G200BHI000
brand-logo
View all in SRAM

Техническая документация

Характеристики

Brand

Cypress Semiconductor

Объем памяти

1Гбит

Организация

2048K x 64 bit

Количество слов

2048K

Количество бит на слово

64бит

Ширина адресной шины

8бит

Тип синхронизации

Асинхронный

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Тип корпуса

BGA

Число контактов

63

Размеры

11 x 9 x 1мм

Высота

1мм

Максимальное рабочее напряжение питания

3,6 В

Ширина

9мм

Минимальная рабочая температура

-40 °C

Минимальное рабочее напряжение питания

2,7 В

Максимальная рабочая температура

+85 °C

Длина

11мм

Информация о наличии не успела загрузиться

Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)

Информация о наличии не успела загрузиться

P.O.A.

Cypress Semiconductor S34ML01G200BHI000 Чип памяти SRAM

210

Доступно в кратности 210
210P.O.A.
420P.O.A.
630P.O.A.
840P.O.A.
1050P.O.A.
1260P.O.A.
1470P.O.A.
1680P.O.A.
1890P.O.A.
2100P.O.A.
2310P.O.A.
2520P.O.A.
2730P.O.A.
2940P.O.A.
3150P.O.A.

P.O.A.

Cypress Semiconductor S34ML01G200BHI000 Чип памяти SRAM
Информация о наличии не успела загрузиться

210

Доступно в кратности 210
210P.O.A.
420P.O.A.
630P.O.A.
840P.O.A.
1050P.O.A.
1260P.O.A.
1470P.O.A.
1680P.O.A.
1890P.O.A.
2100P.O.A.
2310P.O.A.
2520P.O.A.
2730P.O.A.
2940P.O.A.
3150P.O.A.

Техническая документация

Характеристики

Brand

Cypress Semiconductor

Объем памяти

1Гбит

Организация

2048K x 64 bit

Количество слов

2048K

Количество бит на слово

64бит

Ширина адресной шины

8бит

Тип синхронизации

Асинхронный

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Тип корпуса

BGA

Число контактов

63

Размеры

11 x 9 x 1мм

Высота

1мм

Максимальное рабочее напряжение питания

3,6 В

Ширина

9мм

Минимальная рабочая температура

-40 °C

Минимальное рабочее напряжение питания

2,7 В

Максимальная рабочая температура

+85 °C

Длина

11мм