Техническая документация
Характеристики
Объем памяти
256Мбит
Тип интерфейса
CFI, Параллельный
Тип корпуса
Тонкий корпус с уменьшенным расстоянием между выводами
Число контактов
56
Организация
16M x 16 bit
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Тип ячейки
ИЛИ-НЕ
Минимальное рабочее напряжение питания
3 В
Максимальное рабочее напряжение питания
3,6 В
Длина
18.5мм
Высота
1.05мм
Ширина
14.1мм
Размеры
18.5 x 14.1 x 1.05мм
Минимальная рабочая температура
-40 °C
Количество бит на слово
16бит
Количество слов
16M
Максимальная рабочая температура
+85 °C
Максимальное время произвольного доступа
90нс
Информация о товаре
Flash Memory using MirrorBit Technology, Cypress Semiconductor (Spansion)
Flash Memory
FLASH Memory IC is a non-volatile RAM that has to be written/erased in blocks. It does have a limited life in terms of number of write cycles and tends to be used for program storage that is infrequently changed.
Информация о наличии не успела загрузиться
Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)
P.O.A.
1
P.O.A.
1
Техническая документация
Характеристики
Объем памяти
256Мбит
Тип интерфейса
CFI, Параллельный
Тип корпуса
Тонкий корпус с уменьшенным расстоянием между выводами
Число контактов
56
Организация
16M x 16 bit
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Тип ячейки
ИЛИ-НЕ
Минимальное рабочее напряжение питания
3 В
Максимальное рабочее напряжение питания
3,6 В
Длина
18.5мм
Высота
1.05мм
Ширина
14.1мм
Размеры
18.5 x 14.1 x 1.05мм
Минимальная рабочая температура
-40 °C
Количество бит на слово
16бит
Количество слов
16M
Максимальная рабочая температура
+85 °C
Максимальное время произвольного доступа
90нс
Информация о товаре
Flash Memory using MirrorBit Technology, Cypress Semiconductor (Spansion)
Flash Memory
FLASH Memory IC is a non-volatile RAM that has to be written/erased in blocks. It does have a limited life in terms of number of write cycles and tends to be used for program storage that is infrequently changed.