Техническая документация
Характеристики
Объем памяти
128Мбит
Тип интерфейса
CFI, Параллельный
Тип корпуса
Тонкий корпус с уменьшенным расстоянием между выводами
Число контактов
56
Организация
8М x 16 бит
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Тип ячейки
ИЛИ-НЕ
Минимальное рабочее напряжение питания
3 В
Максимальное рабочее напряжение питания
3,6 В
Размеры
18.5 x 14.1 x 1.05мм
Максимальное время произвольного доступа
90нс
Количество слов
8M
Минимальная рабочая температура
-40 °C
Количество бит на слово
16бит
Максимальная рабочая температура
+85 °C
Информация о товаре
Flash Memory using MirrorBit Technology, Cypress Semiconductor (Spansion)
Flash Memory
FLASH Memory IC is a non-volatile RAM that has to be written/erased in blocks. It does have a limited life in terms of number of write cycles and tends to be used for program storage that is infrequently changed.
Информация о наличии не успела загрузиться
P.O.A.
Стандартная упаковка
1
P.O.A.
Информация о наличии не успела загрузиться
Стандартная упаковка
1
Техническая документация
Характеристики
Объем памяти
128Мбит
Тип интерфейса
CFI, Параллельный
Тип корпуса
Тонкий корпус с уменьшенным расстоянием между выводами
Число контактов
56
Организация
8М x 16 бит
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Тип ячейки
ИЛИ-НЕ
Минимальное рабочее напряжение питания
3 В
Максимальное рабочее напряжение питания
3,6 В
Размеры
18.5 x 14.1 x 1.05мм
Максимальное время произвольного доступа
90нс
Количество слов
8M
Минимальная рабочая температура
-40 °C
Количество бит на слово
16бит
Максимальная рабочая температура
+85 °C
Информация о товаре
Flash Memory using MirrorBit Technology, Cypress Semiconductor (Spansion)
Flash Memory
FLASH Memory IC is a non-volatile RAM that has to be written/erased in blocks. It does have a limited life in terms of number of write cycles and tends to be used for program storage that is infrequently changed.
