Cypress Semiconductor S25FS512SAGNFI011 Чип флеш-памяти
Техническая документация
Характеристики
Объем памяти
512Мбит
Тип интерфейса
SPI
Тип корпуса
SOIC
Число контактов
16
Организация
64М x 8 бит
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Тип ячейки
ИЛИ-НЕ
Минимальное рабочее напряжение питания
1,7 В
Максимальное рабочее напряжение питания
2 В
Размеры
10.3 x 7.5 x 2.55мм
Максимальная рабочая температура
+85 °C
Количество слов
64M
Минимальная рабочая температура
-40 °C
Количество бит на слово
8бит
Информация о наличии не успела загрузиться
Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)
P.O.A.
82
P.O.A.
82
Техническая документация
Характеристики
Объем памяти
512Мбит
Тип интерфейса
SPI
Тип корпуса
SOIC
Число контактов
16
Организация
64М x 8 бит
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Тип ячейки
ИЛИ-НЕ
Минимальное рабочее напряжение питания
1,7 В
Максимальное рабочее напряжение питания
2 В
Размеры
10.3 x 7.5 x 2.55мм
Максимальная рабочая температура
+85 °C
Количество слов
64M
Минимальная рабочая температура
-40 °C
Количество бит на слово
8бит