Cypress Semiconductor S25FL512SAGBHB210 Чип флеш-памяти
Техническая документация
Характеристики
Объем памяти
512Мбит
Тип интерфейса
CFI, Параллельный, SPI
Тип корпуса
BGA
Число контактов
24
Организация
64М x 8 бит
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Тип ячейки
ИЛИ-НЕ
Минимальное рабочее напряжение питания
1.65 (I/O) V, 2.7 (Core) V
Максимальное рабочее напряжение питания
3.6 (Core) V, 3.6 (I/O) V
Размеры
8 x 6 x 1мм
Количество блоков
4
Количество слов
64M
Минимальная рабочая температура
-40 °C
Количество бит на слово
8бит
Максимальная рабочая температура
+105 °C
Автомобильный стандарт
AEC-Q100
Информация о наличии не успела загрузиться
Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)
P.O.A.
338
P.O.A.
338
Техническая документация
Характеристики
Объем памяти
512Мбит
Тип интерфейса
CFI, Параллельный, SPI
Тип корпуса
BGA
Число контактов
24
Организация
64М x 8 бит
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Тип ячейки
ИЛИ-НЕ
Минимальное рабочее напряжение питания
1.65 (I/O) V, 2.7 (Core) V
Максимальное рабочее напряжение питания
3.6 (Core) V, 3.6 (I/O) V
Размеры
8 x 6 x 1мм
Количество блоков
4
Количество слов
64M
Минимальная рабочая температура
-40 °C
Количество бит на слово
8бит
Максимальная рабочая температура
+105 °C
Автомобильный стандарт
AEC-Q100