Техническая документация
Характеристики
Объем памяти
1Мбит
Организация
1M x 1
Количество слов
1M
Количество бит на слово
1бит
Максимальное время произвольного доступа
10нс
Ширина адресной шины
20бит
Частота синхронизации
100МГц
Низкая мощность
Да
Тип синхронизации
Асинхронный
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Тип корпуса
SOJ
Число контактов
28
Размеры
0.73 x 0.405 x 0.123дюйм
Максимальное рабочее напряжение питания
5,5 В
Высота
3.12мм
Минимальная рабочая температура
-40 °C
Максимальная рабочая температура
+85 °C
Длина
18.54мм
Ширина
0.405дюйм
Минимальное рабочее напряжение питания
4,5 В
Информация о товаре
Asynchronous Static RAM Memory, Cypress Semiconductor
SRAM (Static Random Access Memory)
Информация о наличии не успела загрузиться
Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)
тг 12 936,18
Each (ex VAT)
1
тг 12 936,18
Each (ex VAT)
1
Купить большой партией
Количество | Цена единицы |
---|---|
1 - 1 | тг 12 936,18 |
2 - 4 | тг 12 685,86 |
5 - 12 | тг 12 265,68 |
13 - 25 | тг 12 028,77 |
26+ | тг 11 791,86 |
Техническая документация
Характеристики
Объем памяти
1Мбит
Организация
1M x 1
Количество слов
1M
Количество бит на слово
1бит
Максимальное время произвольного доступа
10нс
Ширина адресной шины
20бит
Частота синхронизации
100МГц
Низкая мощность
Да
Тип синхронизации
Асинхронный
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Тип корпуса
SOJ
Число контактов
28
Размеры
0.73 x 0.405 x 0.123дюйм
Максимальное рабочее напряжение питания
5,5 В
Высота
3.12мм
Минимальная рабочая температура
-40 °C
Максимальная рабочая температура
+85 °C
Длина
18.54мм
Ширина
0.405дюйм
Минимальное рабочее напряжение питания
4,5 В
Информация о товаре