Cypress Semiconductor SRAM Memory, CY7C1069G30-10ZSXI-CYP- 16Mbit
Техническая документация
Характеристики
Объем памяти
16Мбит
Организация
2М x 8 бит
Количество слов
2M
Количество бит на слово
8бит
Максимальное время произвольного доступа
10нс
Частота синхронизации
100МГц
Тип синхронизации
Асинхронный
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Тип корпуса
Тонкий корпус с уменьшенным расстоянием между выводами
Число контактов
54
Размеры
22.51 x 10.26 x 1.05мм
Высота
1.05мм
Максимальное рабочее напряжение питания
3,6 В
Ширина
10.26мм
Минимальная рабочая температура
-40 °C
Минимальное рабочее напряжение питания
2,2 В
Максимальная рабочая температура
+85 °C
Длина
22.51мм
Информация о наличии не успела загрузиться
Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)
P.O.A.
108
P.O.A.
108
Техническая документация
Характеристики
Объем памяти
16Мбит
Организация
2М x 8 бит
Количество слов
2M
Количество бит на слово
8бит
Максимальное время произвольного доступа
10нс
Частота синхронизации
100МГц
Тип синхронизации
Асинхронный
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Тип корпуса
Тонкий корпус с уменьшенным расстоянием между выводами
Число контактов
54
Размеры
22.51 x 10.26 x 1.05мм
Высота
1.05мм
Максимальное рабочее напряжение питания
3,6 В
Ширина
10.26мм
Минимальная рабочая температура
-40 °C
Минимальное рабочее напряжение питания
2,2 В
Максимальная рабочая температура
+85 °C
Длина
22.51мм