Cypress Semiconductor CY7C1049GN30-10ZSXI Чип памяти SRAM
Техническая документация
Характеристики
Объем памяти
4Мбит
Организация
512К x 8 бит
Количество слов
512K
Количество бит на слово
8бит
Максимальное время произвольного доступа
10нс
Тип синхронизации
Асинхронный
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Тип корпуса
Тонкий корпус с уменьшенным расстоянием между выводами
Число контактов
44
Размеры
18.51 x 10.26 x 1.04мм
Максимальное рабочее напряжение питания
3,6 В
Высота
1.04мм
Ширина
10.26мм
Минимальная рабочая температура
-40 °C
Минимальное рабочее напряжение питания
2,2 В
Максимальная рабочая температура
+85 °C
Длина
18.51мм
Информация о наличии не успела загрузиться
Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)
P.O.A.
135
P.O.A.
135
Техническая документация
Характеристики
Объем памяти
4Мбит
Организация
512К x 8 бит
Количество слов
512K
Количество бит на слово
8бит
Максимальное время произвольного доступа
10нс
Тип синхронизации
Асинхронный
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Тип корпуса
Тонкий корпус с уменьшенным расстоянием между выводами
Число контактов
44
Размеры
18.51 x 10.26 x 1.04мм
Максимальное рабочее напряжение питания
3,6 В
Высота
1.04мм
Ширина
10.26мм
Минимальная рабочая температура
-40 °C
Минимальное рабочее напряжение питания
2,2 В
Максимальная рабочая температура
+85 °C
Длина
18.51мм