Cypress Semiconductor CY7C1049GN30-10VXI Чип памяти SRAM
Техническая документация
Характеристики
Объем памяти
4Мбит
Организация
512к x 16 бит
Количество слов
512K
Количество бит на слово
8бит
Максимальное время произвольного доступа
10нс
Частота синхронизации
100МГц
Тип синхронизации
Асинхронный
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Тип корпуса
SOJ
Число контактов
36
Размеры
0.93 x 0.4 x 0.12мм
Максимальное рабочее напряжение питания
3,6 В
Высота
0.12мм
Максимальная рабочая температура
+85 °C
Длина
0.93мм
Ширина
0.4мм
Минимальная рабочая температура
-40 °C
Минимальное рабочее напряжение питания
2,2 В
Информация о наличии не успела загрузиться
Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)
P.O.A.
19
P.O.A.
19
Техническая документация
Характеристики
Объем памяти
4Мбит
Организация
512к x 16 бит
Количество слов
512K
Количество бит на слово
8бит
Максимальное время произвольного доступа
10нс
Частота синхронизации
100МГц
Тип синхронизации
Асинхронный
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Тип корпуса
SOJ
Число контактов
36
Размеры
0.93 x 0.4 x 0.12мм
Максимальное рабочее напряжение питания
3,6 В
Высота
0.12мм
Максимальная рабочая температура
+85 °C
Длина
0.93мм
Ширина
0.4мм
Минимальная рабочая температура
-40 °C
Минимальное рабочее напряжение питания
2,2 В