Cypress Semiconductor CY7C1049G-10VXI Чип памяти SRAM
Техническая документация
Характеристики
Объем памяти
4Мбит
Организация
512К x 8 бит
Количество слов
512K
Количество бит на слово
8бит
Максимальное время произвольного доступа
10нс
Тип синхронизации
Асинхронный
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Тип корпуса
SOJ
Число контактов
36
Размеры
0.93 x 0.405 x 0.12дюйм
Максимальное рабочее напряжение питания
5,5 В
Высота
3.05мм
Максимальная рабочая температура
+85 °C
Длина
23.62мм
Ширина
10.29мм
Минимальная рабочая температура
-40 °C
Минимальное рабочее напряжение питания
4,5 В
Информация о наличии не успела загрузиться
Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)
P.O.A.
19
P.O.A.
19
Техническая документация
Характеристики
Объем памяти
4Мбит
Организация
512К x 8 бит
Количество слов
512K
Количество бит на слово
8бит
Максимальное время произвольного доступа
10нс
Тип синхронизации
Асинхронный
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Тип корпуса
SOJ
Число контактов
36
Размеры
0.93 x 0.405 x 0.12дюйм
Максимальное рабочее напряжение питания
5,5 В
Высота
3.05мм
Максимальная рабочая температура
+85 °C
Длина
23.62мм
Ширина
10.29мм
Минимальная рабочая температура
-40 °C
Минимальное рабочее напряжение питания
4,5 В