Cypress Semiconductor CY7C1041GN30-10ZSXI Чип памяти SRAM
Техническая документация
Характеристики
Объем памяти
4Мбит
Организация
256К x 16 бит
Количество слов
256k
Количество бит на слово
8бит
Максимальное время произвольного доступа
10нс
Ширина адресной шины
16бит
Частота синхронизации
100МГц
Тип синхронизации
Асинхронный
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Тип корпуса
Тонкий корпус с уменьшенным расстоянием между выводами
Число контактов
44
Размеры
18.51 x 10.26 x 1.04мм
Высота
1.04мм
Максимальное рабочее напряжение питания
3,6 В
Ширина
10.26мм
Минимальная рабочая температура
-40 °C
Минимальное рабочее напряжение питания
2,2 В
Максимальная рабочая температура
+85 °C
Длина
18.51мм
Информация о наличии не успела загрузиться
Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)
P.O.A.
135
P.O.A.
135
Техническая документация
Характеристики
Объем памяти
4Мбит
Организация
256К x 16 бит
Количество слов
256k
Количество бит на слово
8бит
Максимальное время произвольного доступа
10нс
Ширина адресной шины
16бит
Частота синхронизации
100МГц
Тип синхронизации
Асинхронный
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Тип корпуса
Тонкий корпус с уменьшенным расстоянием между выводами
Число контактов
44
Размеры
18.51 x 10.26 x 1.04мм
Высота
1.04мм
Максимальное рабочее напряжение питания
3,6 В
Ширина
10.26мм
Минимальная рабочая температура
-40 °C
Минимальное рабочее напряжение питания
2,2 В
Максимальная рабочая температура
+85 °C
Длина
18.51мм