Cypress Semiconductor CY7C1041G30-10VXI Чип памяти SRAM
Техническая документация
Характеристики
Объем памяти
4Мбит
Организация
256К x 16 бит
Количество слов
256k
Количество бит на слово
16бит
Максимальное время произвольного доступа
10нс
Частота синхронизации
100МГц
Тип синхронизации
Асинхронный
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Тип корпуса
SOJ
Число контактов
44
Размеры
1.13 x 0.405 x 0.11дюйм
Высота
2.79мм
Максимальное рабочее напряжение питания
3,6 В
Ширина
10.29мм
Минимальная рабочая температура
-40 °C
Минимальное рабочее напряжение питания
2,2 В
Максимальная рабочая температура
+85 °C
Длина
28.7мм
Страна происхождения
United States
Информация о наличии не успела загрузиться
Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)
P.O.A.
17
P.O.A.
17
Техническая документация
Характеристики
Объем памяти
4Мбит
Организация
256К x 16 бит
Количество слов
256k
Количество бит на слово
16бит
Максимальное время произвольного доступа
10нс
Частота синхронизации
100МГц
Тип синхронизации
Асинхронный
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Тип корпуса
SOJ
Число контактов
44
Размеры
1.13 x 0.405 x 0.11дюйм
Высота
2.79мм
Максимальное рабочее напряжение питания
3,6 В
Ширина
10.29мм
Минимальная рабочая температура
-40 °C
Минимальное рабочее напряжение питания
2,2 В
Максимальная рабочая температура
+85 °C
Длина
28.7мм
Страна происхождения
United States