Cypress Semiconductor CY7C1021DV33-10BVXI Чип памяти SRAM
Техническая документация
Характеристики
Объем памяти
1Мбит
Организация
64К x 16 бит
Количество слов
64K
Количество бит на слово
16бит
Максимальное время произвольного доступа
10нс
Частота синхронизации
100МГц
Низкая мощность
Да
Тип синхронизации
Асинхронный
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Тип корпуса
BGA
Число контактов
48
Размеры
8 x 6 x 0.79мм
Высота
0.79мм
Максимальное рабочее напряжение питания
3,6 В
Ширина
6мм
Минимальная рабочая температура
-40 °C
Минимальное рабочее напряжение питания
3 В
Максимальная рабочая температура
+85 °C
Длина
8мм
Информация о наличии не успела загрузиться
Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)
P.O.A.
480
P.O.A.
480
Техническая документация
Характеристики
Объем памяти
1Мбит
Организация
64К x 16 бит
Количество слов
64K
Количество бит на слово
16бит
Максимальное время произвольного доступа
10нс
Частота синхронизации
100МГц
Низкая мощность
Да
Тип синхронизации
Асинхронный
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Тип корпуса
BGA
Число контактов
48
Размеры
8 x 6 x 0.79мм
Высота
0.79мм
Максимальное рабочее напряжение питания
3,6 В
Ширина
6мм
Минимальная рабочая температура
-40 °C
Минимальное рабочее напряжение питания
3 В
Максимальная рабочая температура
+85 °C
Длина
8мм