Cypress Semiconductor CY7C1019DV33-10ZSXI SRAM
Техническая документация
Характеристики
Объем памяти
1Мбит
Организация
128К x 8 бит
Количество слов
128K
Количество бит на слово
8бит
Максимальное время произвольного доступа
10нс
Ширина адресной шины
8бит
Частота синхронизации
100МГц
Низкая мощность
Да
Тип синхронизации
Асинхронный
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Тип корпуса
Тонкий корпус с уменьшенным расстоянием между выводами
Число контактов
32
Размеры
21.08 x 10.29 x 1.05мм
Максимальное рабочее напряжение питания
3,6 В
Высота
1.05мм
Максимальная рабочая температура
-85 °C
Длина
21.08мм
Ширина
10.29мм
Минимальная рабочая температура
-40 °C
Минимальное рабочее напряжение питания
3 В
Информация о товаре
Asynchronous Static RAM Memory, Cypress Semiconductor
SRAM (Static Random Access Memory)
Информация о наличии не успела загрузиться
Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)
P.O.A.
2
P.O.A.
2
Техническая документация
Характеристики
Объем памяти
1Мбит
Организация
128К x 8 бит
Количество слов
128K
Количество бит на слово
8бит
Максимальное время произвольного доступа
10нс
Ширина адресной шины
8бит
Частота синхронизации
100МГц
Низкая мощность
Да
Тип синхронизации
Асинхронный
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Тип корпуса
Тонкий корпус с уменьшенным расстоянием между выводами
Число контактов
32
Размеры
21.08 x 10.29 x 1.05мм
Максимальное рабочее напряжение питания
3,6 В
Высота
1.05мм
Максимальная рабочая температура
-85 °C
Длина
21.08мм
Ширина
10.29мм
Минимальная рабочая температура
-40 °C
Минимальное рабочее напряжение питания
3 В
Информация о товаре