Cypress Semiconductor SRAM Memory Chip, CY7C1009D-10VXI- 1Mbit
Техническая документация
Характеристики
Объем памяти
1Мбит
Организация
128К x 8 бит
Количество слов
128K
Количество бит на слово
8бит
Максимальное время произвольного доступа
10нс
Частота синхронизации
100МГц
Тип синхронизации
Асинхронный
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Тип корпуса
SOJ
Число контактов
32
Размеры
0.83 x 0.305 x 0.11дюйм
Максимальное рабочее напряжение питания
5,5 В
Высота
2.79мм
Минимальная рабочая температура
-40 °C
Минимальное рабочее напряжение питания
4,5 В
Максимальная рабочая температура
+85 °C
Длина
21.08мм
Ширина
7.75мм
Страна происхождения
United States
Информация о наличии не успела загрузиться
Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)
P.O.A.
23
P.O.A.
23
Техническая документация
Характеристики
Объем памяти
1Мбит
Организация
128К x 8 бит
Количество слов
128K
Количество бит на слово
8бит
Максимальное время произвольного доступа
10нс
Частота синхронизации
100МГц
Тип синхронизации
Асинхронный
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Тип корпуса
SOJ
Число контактов
32
Размеры
0.83 x 0.305 x 0.11дюйм
Максимальное рабочее напряжение питания
5,5 В
Высота
2.79мм
Минимальная рабочая температура
-40 °C
Минимальное рабочее напряжение питания
4,5 В
Максимальная рабочая температура
+85 °C
Длина
21.08мм
Ширина
7.75мм
Страна происхождения
United States