Cypress Semiconductor CY62158EV30LL-45ZSXI SRAM

Код товара RS: 124-2946Бренд: Cypress SemiconductorПарт-номер производителя: CY62158EV30LL-45ZSXI
brand-logo
Просмотреть все в SRAM

Техническая документация

Характеристики

Brand

Cypress Semiconductor

Объем памяти

8Мбит

Организация

1024К x 8 бит

Количество слов

1024K

Количество бит на слово

8бит

Максимальное время произвольного доступа

45нс

Ширина адресной шины

8бит

Частота синхронизации

1МГц

Низкая мощность

Да

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Тип корпуса

Тонкий корпус с уменьшенным расстоянием между выводами

Число контактов

44

Размеры

18.51 x 10.26 x 1.04мм

Максимальное рабочее напряжение питания

3,6 В

Высота

1.04мм

Максимальная рабочая температура

+85 °C

Длина

18.51мм

Ширина

10.26мм

Минимальная рабочая температура

-40 °C

Минимальное рабочее напряжение питания

2,2 В

Информация о товаре

Asynchronous Micropower (MoBL) SRAM Memory, Cypress Semiconductor

The MoBL low-power SRAM memory devices have high efficiency and offer industry leading standby power dissipation (maximum) specifications.

SRAM (Static Random Access Memory)

P.O.A.

Cypress Semiconductor CY62158EV30LL-45ZSXI SRAM
Select packaging type

Стандартная упаковка

Select packaging type

Стандартная упаковка - each

Доступно в кратности 1.

Производственная упаковка -

Доступно в кратности 1.

Рекомендуется для заказа в больших количествах. Изделия упакованы и готовы к установке в оборудование, что позволяет повысить эффективность производства.

1

Доступно в кратности 1
1P.O.A.
2P.O.A.
3P.O.A.
4P.O.A.
5P.O.A.
6P.O.A.
7P.O.A.
8P.O.A.
9P.O.A.
10P.O.A.
11P.O.A.
12P.O.A.
13P.O.A.
14P.O.A.
15P.O.A.

P.O.A.

Cypress Semiconductor CY62158EV30LL-45ZSXI SRAM

Информация о наличии не успела загрузиться

Select packaging type

Стандартная упаковка

Select packaging type

Стандартная упаковка - each

Доступно в кратности 1.

Производственная упаковка -

Доступно в кратности 1.

Рекомендуется для заказа в больших количествах. Изделия упакованы и готовы к установке в оборудование, что позволяет повысить эффективность производства.

1

Доступно в кратности 1
1P.O.A.
2P.O.A.
3P.O.A.
4P.O.A.
5P.O.A.
6P.O.A.
7P.O.A.
8P.O.A.
9P.O.A.
10P.O.A.
11P.O.A.
12P.O.A.
13P.O.A.
14P.O.A.
15P.O.A.

Информация о наличии не успела загрузиться

Техническая документация

Характеристики

Brand

Cypress Semiconductor

Объем памяти

8Мбит

Организация

1024К x 8 бит

Количество слов

1024K

Количество бит на слово

8бит

Максимальное время произвольного доступа

45нс

Ширина адресной шины

8бит

Частота синхронизации

1МГц

Низкая мощность

Да

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Тип корпуса

Тонкий корпус с уменьшенным расстоянием между выводами

Число контактов

44

Размеры

18.51 x 10.26 x 1.04мм

Максимальное рабочее напряжение питания

3,6 В

Высота

1.04мм

Максимальная рабочая температура

+85 °C

Длина

18.51мм

Ширина

10.26мм

Минимальная рабочая температура

-40 °C

Минимальное рабочее напряжение питания

2,2 В

Информация о товаре

Asynchronous Micropower (MoBL) SRAM Memory, Cypress Semiconductor

The MoBL low-power SRAM memory devices have high efficiency and offer industry leading standby power dissipation (maximum) specifications.

SRAM (Static Random Access Memory)