Cypress Semiconductor CY62158ELL-45ZSXI SRAM
Техническая документация
Характеристики
Объем памяти
8Мбит
Организация
1М x 8 бит
Количество слов
1M
Количество бит на слово
8бит
Максимальное время произвольного доступа
45нс
Ширина адресной шины
8бит
Частота синхронизации
1МГц
Низкая мощность
Да
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Тип корпуса
Тонкий корпус с уменьшенным расстоянием между выводами
Число контактов
44
Размеры
18.51 x 10.26 x 1.04мм
Высота
1.04мм
Максимальное рабочее напряжение питания
5,5 В
Ширина
10.26мм
Максимальная рабочая температура
+85 °C
Длина
18.51мм
Минимальная рабочая температура
-40 °C
Минимальное рабочее напряжение питания
4,5 В
Страна происхождения
Philippines
Информация о товаре
Asynchronous Micropower (MoBL) SRAM Memory, Cypress Semiconductor
The MoBL low-power SRAM memory devices have high efficiency and offer industry leading standby power dissipation (maximum) specifications.
SRAM (Static Random Access Memory)
Информация о наличии не успела загрузиться
Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)
P.O.A.
1
P.O.A.
1
Техническая документация
Характеристики
Объем памяти
8Мбит
Организация
1М x 8 бит
Количество слов
1M
Количество бит на слово
8бит
Максимальное время произвольного доступа
45нс
Ширина адресной шины
8бит
Частота синхронизации
1МГц
Низкая мощность
Да
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Тип корпуса
Тонкий корпус с уменьшенным расстоянием между выводами
Число контактов
44
Размеры
18.51 x 10.26 x 1.04мм
Высота
1.04мм
Максимальное рабочее напряжение питания
5,5 В
Ширина
10.26мм
Максимальная рабочая температура
+85 °C
Длина
18.51мм
Минимальная рабочая температура
-40 °C
Минимальное рабочее напряжение питания
4,5 В
Страна происхождения
Philippines
Информация о товаре
Asynchronous Micropower (MoBL) SRAM Memory, Cypress Semiconductor
The MoBL low-power SRAM memory devices have high efficiency and offer industry leading standby power dissipation (maximum) specifications.