Cypress Semiconductor CY62157EV30LL-45BVXI SRAM

Код товара RS: 124-2943Бренд: Cypress SemiconductorПарт-номер производителя: CY62157EV30LL-45BVXI
brand-logo
View all in SRAM

Техническая документация

Характеристики

Brand

Cypress Semiconductor

Объем памяти

8Мбит

Организация

1M x 8 бит, 512К x 16 бит

Количество слов

512K

Количество бит на слово

8 bit, 16бит

Максимальное время произвольного доступа

45нс

Ширина адресной шины

8 bit, 16 bit

Частота синхронизации

1МГц

Низкая мощность

Да

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Тип корпуса

VFBGA

Число контактов

48

Размеры

6 x 8 x 0.79мм

Максимальное рабочее напряжение питания

3,6 В

Высота

0.79мм

Максимальная рабочая температура

+85 °C

Длина

6мм

Ширина

8мм

Минимальная рабочая температура

-40 °C

Минимальное рабочее напряжение питания

2,2 В

Информация о товаре

Asynchronous Micropower (MoBL) SRAM Memory, Cypress Semiconductor

The MoBL low-power SRAM memory devices have high efficiency and offer industry leading standby power dissipation (maximum) specifications.

SRAM (Static Random Access Memory)

Информация о наличии не успела загрузиться

Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)

Информация о наличии не успела загрузиться

P.O.A.

Cypress Semiconductor CY62157EV30LL-45BVXI SRAM
Select packaging type

Select packaging type

Стандартная упаковка - each

Доступно в кратности 1.

Производственная упаковка -

Доступно в кратности 1.

Рекомендуется для заказа в больших количествах. Изделия упакованы и готовы к установке в оборудование, что позволяет повысить эффективность производства.

1

Доступно в кратности 1
1P.O.A.
2P.O.A.
3P.O.A.
4P.O.A.
5P.O.A.
6P.O.A.
7P.O.A.
8P.O.A.
9P.O.A.
10P.O.A.
11P.O.A.
12P.O.A.
13P.O.A.
14P.O.A.
15P.O.A.

P.O.A.

Cypress Semiconductor CY62157EV30LL-45BVXI SRAM
Информация о наличии не успела загрузиться
Select packaging type

Select packaging type

Стандартная упаковка - each

Доступно в кратности 1.

Производственная упаковка -

Доступно в кратности 1.

Рекомендуется для заказа в больших количествах. Изделия упакованы и готовы к установке в оборудование, что позволяет повысить эффективность производства.

1

Доступно в кратности 1
1P.O.A.
2P.O.A.
3P.O.A.
4P.O.A.
5P.O.A.
6P.O.A.
7P.O.A.
8P.O.A.
9P.O.A.
10P.O.A.
11P.O.A.
12P.O.A.
13P.O.A.
14P.O.A.
15P.O.A.

Техническая документация

Характеристики

Brand

Cypress Semiconductor

Объем памяти

8Мбит

Организация

1M x 8 бит, 512К x 16 бит

Количество слов

512K

Количество бит на слово

8 bit, 16бит

Максимальное время произвольного доступа

45нс

Ширина адресной шины

8 bit, 16 bit

Частота синхронизации

1МГц

Низкая мощность

Да

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Тип корпуса

VFBGA

Число контактов

48

Размеры

6 x 8 x 0.79мм

Максимальное рабочее напряжение питания

3,6 В

Высота

0.79мм

Максимальная рабочая температура

+85 °C

Длина

6мм

Ширина

8мм

Минимальная рабочая температура

-40 °C

Минимальное рабочее напряжение питания

2,2 В

Информация о товаре

Asynchronous Micropower (MoBL) SRAM Memory, Cypress Semiconductor

The MoBL low-power SRAM memory devices have high efficiency and offer industry leading standby power dissipation (maximum) specifications.

SRAM (Static Random Access Memory)