Техническая документация
Характеристики
Объем памяти
4Мбит
Организация
512К x 8 бит
Количество слов
512K
Количество бит на слово
8бит
Максимальное время произвольного доступа
45нс
Ширина адресной шины
8бит
Низкая мощность
Да
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Тип корпуса
VFBGA
Число контактов
36
Размеры
6 x 8 x 0.84мм
Высота
0.84мм
Максимальное рабочее напряжение питания
3,6 В
Ширина
8мм
Минимальная рабочая температура
-40 °C
Минимальное рабочее напряжение питания
2,2 В
Максимальная рабочая температура
+85 °C
Длина
6мм
Информация о товаре
Asynchronous Static RAM Memory, Cypress Semiconductor
SRAM (Static Random Access Memory)
Информация о наличии не успела загрузиться
Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)
P.O.A.
1
P.O.A.
1
Техническая документация
Характеристики
Объем памяти
4Мбит
Организация
512К x 8 бит
Количество слов
512K
Количество бит на слово
8бит
Максимальное время произвольного доступа
45нс
Ширина адресной шины
8бит
Низкая мощность
Да
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Тип корпуса
VFBGA
Число контактов
36
Размеры
6 x 8 x 0.84мм
Высота
0.84мм
Максимальное рабочее напряжение питания
3,6 В
Ширина
8мм
Минимальная рабочая температура
-40 °C
Минимальное рабочее напряжение питания
2,2 В
Максимальная рабочая температура
+85 °C
Длина
6мм
Информация о товаре