Техническая документация
Характеристики
Объем памяти
4Мбит
Организация
512К x 8 бит
Количество слов
512K
Количество бит на слово
8бит
Максимальное время произвольного доступа
55нс
Ширина адресной шины
8бит
Низкая мощность
Да
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Тип корпуса
STSOP
Число контактов
32
Размеры
11.9 x 8.1 x 1.05мм
Высота
1.05мм
Максимальное рабочее напряжение питания
3,6 В, 5,5 В
Ширина
8.1мм
Максимальная рабочая температура
+85 °C
Длина
11.9мм
Минимальная рабочая температура
-40 °C
Минимальное рабочее напряжение питания
2,2 В, 4,5 В
Информация о товаре
Asynchronous Static RAM Memory, Cypress Semiconductor
SRAM (Static Random Access Memory)
Информация о наличии не успела загрузиться
Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)
P.O.A.
1
P.O.A.
1
Техническая документация
Характеристики
Объем памяти
4Мбит
Организация
512К x 8 бит
Количество слов
512K
Количество бит на слово
8бит
Максимальное время произвольного доступа
55нс
Ширина адресной шины
8бит
Низкая мощность
Да
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Тип корпуса
STSOP
Число контактов
32
Размеры
11.9 x 8.1 x 1.05мм
Высота
1.05мм
Максимальное рабочее напряжение питания
3,6 В, 5,5 В
Ширина
8.1мм
Максимальная рабочая температура
+85 °C
Длина
11.9мм
Минимальная рабочая температура
-40 °C
Минимальное рабочее напряжение питания
2,2 В, 4,5 В
Информация о товаре