Техническая документация
Характеристики
Объем памяти
4Мбит
Количество слов
256K
Количество бит на слово
16бит
Максимальное время произвольного доступа
45нс
Ширина адресной шины
18бит
Тип синхронизации
Асинхронный
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Тип корпуса
Тонкий корпус с уменьшенным расстоянием между выводами
Число контактов
44
Размеры
18.52 x 10.26 x 1.04мм
Максимальное рабочее напряжение питания
3,6 В
Высота
1.04мм
Минимальная рабочая температура
-40 °C
Максимальная рабочая температура
+85 °C
Длина
18.52мм
Ширина
10.26мм
Минимальное рабочее напряжение питания
2,2 В
Страна происхождения
Philippines
Информация о товаре
Asynchronous Static RAM Memory, Cypress Semiconductor
SRAM (Static Random Access Memory)
Информация о наличии не успела загрузиться
Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)
P.O.A.
1
P.O.A.
1
Купить большой партией
Количество | Цена единицы |
---|---|
1 - 9 | P.O.A. |
10 - 24 | P.O.A. |
25 - 49 | P.O.A. |
50 - 99 | P.O.A. |
100+ | P.O.A. |
Техническая документация
Характеристики
Объем памяти
4Мбит
Количество слов
256K
Количество бит на слово
16бит
Максимальное время произвольного доступа
45нс
Ширина адресной шины
18бит
Тип синхронизации
Асинхронный
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Тип корпуса
Тонкий корпус с уменьшенным расстоянием между выводами
Число контактов
44
Размеры
18.52 x 10.26 x 1.04мм
Максимальное рабочее напряжение питания
3,6 В
Высота
1.04мм
Минимальная рабочая температура
-40 °C
Максимальная рабочая температура
+85 °C
Длина
18.52мм
Ширина
10.26мм
Минимальное рабочее напряжение питания
2,2 В
Страна происхождения
Philippines
Информация о товаре