Cypress Semiconductor CY62128EV30LL-45ZAXI SRAM

Код товара RS: 124-2937Бренд: Cypress SemiconductorПарт-номер производителя: CY62128EV30LL-45ZAXI
brand-logo
View all in SRAM

Техническая документация

Характеристики

Brand

Cypress Semiconductor

Объем памяти

1Мбит

Организация

128К x 8 бит

Количество слов

128K

Количество бит на слово

8бит

Максимальное время произвольного доступа

45нс

Ширина адресной шины

8бит

Частота синхронизации

1МГц

Низкая мощность

Да

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Тип корпуса

STSOP

Число контактов

32

Размеры

11.9 x 8.1 x 1.05мм

Максимальное рабочее напряжение питания

3,6 В

Высота

1.05мм

Максимальная рабочая температура

+85 °C

Длина

11.9мм

Ширина

8.1мм

Минимальная рабочая температура

-40 °C

Минимальное рабочее напряжение питания

2,2 В

Информация о товаре

Asynchronous Micropower (MoBL) SRAM Memory, Cypress Semiconductor

The MoBL low-power SRAM memory devices have high efficiency and offer industry leading standby power dissipation (maximum) specifications.

SRAM (Static Random Access Memory)

Информация о наличии не успела загрузиться

Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)

Информация о наличии не успела загрузиться

P.O.A.

Cypress Semiconductor CY62128EV30LL-45ZAXI SRAM
Select packaging type

Select packaging type

Стандартная упаковка - each

Доступно в кратности 5.

Производственная упаковка -

Доступно в кратности 5.

Рекомендуется для заказа в больших количествах. Изделия упакованы и готовы к установке в оборудование, что позволяет повысить эффективность производства.

5

Доступно в кратности 5
5P.O.A.
10P.O.A.
15P.O.A.
20P.O.A.
25P.O.A.
30P.O.A.
35P.O.A.
40P.O.A.
45P.O.A.
50P.O.A.
55P.O.A.
60P.O.A.
65P.O.A.
70P.O.A.
75P.O.A.

P.O.A.

Cypress Semiconductor CY62128EV30LL-45ZAXI SRAM
Информация о наличии не успела загрузиться
Select packaging type

Select packaging type

Стандартная упаковка - each

Доступно в кратности 5.

Производственная упаковка -

Доступно в кратности 5.

Рекомендуется для заказа в больших количествах. Изделия упакованы и готовы к установке в оборудование, что позволяет повысить эффективность производства.

5

Доступно в кратности 5
5P.O.A.
10P.O.A.
15P.O.A.
20P.O.A.
25P.O.A.
30P.O.A.
35P.O.A.
40P.O.A.
45P.O.A.
50P.O.A.
55P.O.A.
60P.O.A.
65P.O.A.
70P.O.A.
75P.O.A.

Техническая документация

Характеристики

Brand

Cypress Semiconductor

Объем памяти

1Мбит

Организация

128К x 8 бит

Количество слов

128K

Количество бит на слово

8бит

Максимальное время произвольного доступа

45нс

Ширина адресной шины

8бит

Частота синхронизации

1МГц

Низкая мощность

Да

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Тип корпуса

STSOP

Число контактов

32

Размеры

11.9 x 8.1 x 1.05мм

Максимальное рабочее напряжение питания

3,6 В

Высота

1.05мм

Максимальная рабочая температура

+85 °C

Длина

11.9мм

Ширина

8.1мм

Минимальная рабочая температура

-40 °C

Минимальное рабочее напряжение питания

2,2 В

Информация о товаре

Asynchronous Micropower (MoBL) SRAM Memory, Cypress Semiconductor

The MoBL low-power SRAM memory devices have high efficiency and offer industry leading standby power dissipation (maximum) specifications.

SRAM (Static Random Access Memory)