Техническая документация
Характеристики
Объем памяти
1Мбит
Организация
128К x 16 бит
Количество слов
128K
Количество бит на слово
8бит
Максимальное время произвольного доступа
45нс
Ширина адресной шины
8бит
Частота синхронизации
1МГц
Низкая мощность
Да
Тип синхронизации
Асинхронный
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Тип корпуса
SOIC
Число контактов
32
Размеры
20.751 x 11.43 x 2.895мм
Высота
2.895мм
Максимальное рабочее напряжение питания
5,5 В
Минимальное рабочее напряжение питания
4,5 В
Минимальная рабочая температура
-40 °C
Ширина
11.43мм
Длина
20.751мм
Максимальная рабочая температура
+85 °C
Информация о товаре
Asynchronous Static RAM Memory, Cypress Semiconductor
SRAM (Static Random Access Memory)
P.O.A.
Each (Supplied in a Tube) (ex VAT)
Производственная упаковка (Труба)
2
P.O.A.
Each (Supplied in a Tube) (ex VAT)
Информация о наличии не успела загрузиться
Производственная упаковка (Труба)
2
Информация о наличии не успела загрузиться
Техническая документация
Характеристики
Объем памяти
1Мбит
Организация
128К x 16 бит
Количество слов
128K
Количество бит на слово
8бит
Максимальное время произвольного доступа
45нс
Ширина адресной шины
8бит
Частота синхронизации
1МГц
Низкая мощность
Да
Тип синхронизации
Асинхронный
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Тип корпуса
SOIC
Число контактов
32
Размеры
20.751 x 11.43 x 2.895мм
Высота
2.895мм
Максимальное рабочее напряжение питания
5,5 В
Минимальное рабочее напряжение питания
4,5 В
Минимальная рабочая температура
-40 °C
Ширина
11.43мм
Длина
20.751мм
Максимальная рабочая температура
+85 °C
Информация о товаре
