Cypress Semiconductor SRAM Memory Chip, CY62126EV30LL-45ZSXIT- 1Mbit
Техническая документация
Характеристики
Объем памяти
1Мбит
Организация
64К x 16 бит
Количество слов
64K
Количество бит на слово
16бит
Максимальное время произвольного доступа
45нс
Ширина адресной шины
16бит
Частота синхронизации
1МГц
Низкая мощность
Да
Тип синхронизации
Асинхронный
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Тип корпуса
TSOP II
Число контактов
44
Размеры
18.517 x 10.262 x 1.044мм
Высота
1.04мм
Максимальное рабочее напряжение питания
3,6 В
Ширина
10.26мм
Минимальная рабочая температура
-40 °C
Минимальное рабочее напряжение питания
2,2 В
Максимальная рабочая температура
+85 °C
Длина
18.52мм
Информация о наличии не успела загрузиться
Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)
P.O.A.
1000
P.O.A.
1000
Техническая документация
Характеристики
Объем памяти
1Мбит
Организация
64К x 16 бит
Количество слов
64K
Количество бит на слово
16бит
Максимальное время произвольного доступа
45нс
Ширина адресной шины
16бит
Частота синхронизации
1МГц
Низкая мощность
Да
Тип синхронизации
Асинхронный
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Тип корпуса
TSOP II
Число контактов
44
Размеры
18.517 x 10.262 x 1.044мм
Высота
1.04мм
Максимальное рабочее напряжение питания
3,6 В
Ширина
10.26мм
Минимальная рабочая температура
-40 °C
Минимальное рабочее напряжение питания
2,2 В
Максимальная рабочая температура
+85 °C
Длина
18.52мм