Cypress Semiconductor CY62126ESL-45ZSXI SRAM
Техническая документация
Характеристики
Объем памяти
1Мбит
Организация
64К x 16 бит
Количество слов
64K
Количество бит на слово
16бит
Максимальное время произвольного доступа
45нс
Низкая мощность
Да
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Тип корпуса
Тонкий корпус с уменьшенным расстоянием между выводами
Число контактов
44
Размеры
18.517 x 10.262 x 1.044мм
Максимальное рабочее напряжение питания
3,6 В, 5,5 В
Высота
1.044мм
Минимальное рабочее напряжение питания
2,2 В, 4,5 В
Максимальная рабочая температура
+85 °C
Длина
18.517мм
Ширина
10.262мм
Минимальная рабочая температура
-40 °C
Информация о товаре
Asynchronous Static RAM Memory, Cypress Semiconductor
SRAM (Static Random Access Memory)
Информация о наличии не успела загрузиться
Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)
P.O.A.
2
P.O.A.
2
Техническая документация
Характеристики
Объем памяти
1Мбит
Организация
64К x 16 бит
Количество слов
64K
Количество бит на слово
16бит
Максимальное время произвольного доступа
45нс
Низкая мощность
Да
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Тип корпуса
Тонкий корпус с уменьшенным расстоянием между выводами
Число контактов
44
Размеры
18.517 x 10.262 x 1.044мм
Максимальное рабочее напряжение питания
3,6 В, 5,5 В
Высота
1.044мм
Минимальное рабочее напряжение питания
2,2 В, 4,5 В
Максимальная рабочая температура
+85 °C
Длина
18.517мм
Ширина
10.262мм
Минимальная рабочая температура
-40 °C
Информация о товаре