Техническая документация
Характеристики
Объем памяти
8Мбит
Организация
512к x 16 бит
Количество слов
512K
Количество бит на слово
16бит
Максимальное время произвольного доступа
45нс
Ширина адресной шины
16бит
Низкая мощность
Да
Тип синхронизации
Асинхронный
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Тип корпуса
Тонкий корпус с уменьшенным расстоянием между выводами
Число контактов
54
Размеры
22.517 x 10.262 x 1.05мм
Высота
1.05мм
Максимальное рабочее напряжение питания
3,6 В
Ширина
10.262мм
Минимальная рабочая температура
-40 °C
Минимальное рабочее напряжение питания
2,7 В
Максимальная рабочая температура
+85 °C
Длина
22.517мм
Информация о товаре
Non-Volatile RAM, Cypress Semiconductor
Non-Volatile RAM (NVRAM)
NVRAMs are modules containing a CMOS static RAM and a non-rechargeable Lithium battery to maintain the data when the power supply is removed. Some devices in the range also incorporate a real-time clock (RTC).
Информация о наличии не успела загрузиться
Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)
P.O.A.
1
P.O.A.
1
Техническая документация
Характеристики
Объем памяти
8Мбит
Организация
512к x 16 бит
Количество слов
512K
Количество бит на слово
16бит
Максимальное время произвольного доступа
45нс
Ширина адресной шины
16бит
Низкая мощность
Да
Тип синхронизации
Асинхронный
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Тип корпуса
Тонкий корпус с уменьшенным расстоянием между выводами
Число контактов
54
Размеры
22.517 x 10.262 x 1.05мм
Высота
1.05мм
Максимальное рабочее напряжение питания
3,6 В
Ширина
10.262мм
Минимальная рабочая температура
-40 °C
Минимальное рабочее напряжение питания
2,7 В
Максимальная рабочая температура
+85 °C
Длина
22.517мм
Информация о товаре
Non-Volatile RAM, Cypress Semiconductor
Non-Volatile RAM (NVRAM)
NVRAMs are modules containing a CMOS static RAM and a non-rechargeable Lithium battery to maintain the data when the power supply is removed. Some devices in the range also incorporate a real-time clock (RTC).