Техническая документация
Характеристики
Объем памяти
4Мбит
Организация
256K x 16 бит, 512K x 8 бит
Количество слов
256K, 512K
Количество бит на слово
8 bit, 16бит
Максимальное время произвольного доступа
25нс
Ширина адресной шины
8 bit, 16 bit
Низкая мощность
Да
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Тип корпуса
Тонкий корпус с уменьшенным расстоянием между выводами
Число контактов
44
Размеры
18.517 x 10.262 x 1.044мм
Максимальное рабочее напряжение питания
3,6 В
Высота
1.044мм
Минимальное рабочее напряжение питания
2,7 В
Максимальная рабочая температура
+85 °C
Длина
18.517мм
Минимальная рабочая температура
-40 °C
Ширина
10.262мм
Информация о товаре
Non-Volatile RAM, Cypress Semiconductor
Non-Volatile RAM (NVRAM)
NVRAMs are modules containing a CMOS static RAM and a non-rechargeable Lithium battery to maintain the data when the power supply is removed. Some devices in the range also incorporate a real-time clock (RTC).
Информация о наличии не успела загрузиться
Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)
P.O.A.
1
P.O.A.
1
Техническая документация
Характеристики
Объем памяти
4Мбит
Организация
256K x 16 бит, 512K x 8 бит
Количество слов
256K, 512K
Количество бит на слово
8 bit, 16бит
Максимальное время произвольного доступа
25нс
Ширина адресной шины
8 bit, 16 bit
Низкая мощность
Да
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Тип корпуса
Тонкий корпус с уменьшенным расстоянием между выводами
Число контактов
44
Размеры
18.517 x 10.262 x 1.044мм
Максимальное рабочее напряжение питания
3,6 В
Высота
1.044мм
Минимальное рабочее напряжение питания
2,7 В
Максимальная рабочая температура
+85 °C
Длина
18.517мм
Минимальная рабочая температура
-40 °C
Ширина
10.262мм
Информация о товаре
Non-Volatile RAM, Cypress Semiconductor
Non-Volatile RAM (NVRAM)
NVRAMs are modules containing a CMOS static RAM and a non-rechargeable Lithium battery to maintain the data when the power supply is removed. Some devices in the range also incorporate a real-time clock (RTC).