Cypress Semiconductor SRAM Memory Chip, CY14B101LA-ZS25XI- 1Mbit
Техническая документация
Характеристики
Объем памяти
1Мбит
Организация
128К x 8 бит
Количество слов
128K
Количество бит на слово
8бит
Максимальное время произвольного доступа
25нс
Ширина адресной шины
8бит
Частота синхронизации
1МГц
Низкая мощность
Да
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Тип корпуса
Тонкий корпус с уменьшенным расстоянием между выводами
Число контактов
44
Размеры
18.51 x 10.26 x 1.04мм
Высота
1.04мм
Максимальное рабочее напряжение питания
3,6 В
Ширина
10.26мм
Длина
18.51мм
Минимальная рабочая температура
-40 °C
Минимальное рабочее напряжение питания
2,7 В
Максимальная рабочая температура
+85 °C
Страна происхождения
United States
Информация о наличии не успела загрузиться
Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)
P.O.A.
135
P.O.A.
135
Техническая документация
Характеристики
Объем памяти
1Мбит
Организация
128К x 8 бит
Количество слов
128K
Количество бит на слово
8бит
Максимальное время произвольного доступа
25нс
Ширина адресной шины
8бит
Частота синхронизации
1МГц
Низкая мощность
Да
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Тип корпуса
Тонкий корпус с уменьшенным расстоянием между выводами
Число контактов
44
Размеры
18.51 x 10.26 x 1.04мм
Высота
1.04мм
Максимальное рабочее напряжение питания
3,6 В
Ширина
10.26мм
Длина
18.51мм
Минимальная рабочая температура
-40 °C
Минимальное рабочее напряжение питания
2,7 В
Максимальная рабочая температура
+85 °C
Страна происхождения
United States