Техническая документация
Характеристики
Объем памяти
1Мбит
Организация
128k x 8
Количество слов
128k
Количество бит на слово
8бит
Максимальное время произвольного доступа
25нс
Ширина адресной шины
17бит
Частота синхронизации
1МГц
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Тип корпуса
Тонкий корпус с уменьшенным расстоянием между выводами
Число контактов
44
Размеры
18.517 x 10.262 x 1.044мм
Максимальное рабочее напряжение питания
3,6 В
Высота
1.044мм
Минимальное рабочее напряжение питания
2,7 В
Минимальная рабочая температура
-40 °C
Максимальная рабочая температура
+85 °C
Длина
18.52мм
Ширина
10.262мм
Информация о товаре
Non-Volatile RAM, Cypress Semiconductor
Non-Volatile RAM (NVRAM)
NVRAMs are modules containing a CMOS static RAM and a non-rechargeable Lithium battery to maintain the data when the power supply is removed. Some devices in the range also incorporate a real-time clock (RTC).
Информация о наличии не успела загрузиться
Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)
P.O.A.
1
P.O.A.
1
Купить большой партией
Количество | Цена единицы |
---|---|
1 - 9 | P.O.A. |
10 - 29 | P.O.A. |
30 - 59 | P.O.A. |
60 - 134 | P.O.A. |
135+ | P.O.A. |
Техническая документация
Характеристики
Объем памяти
1Мбит
Организация
128k x 8
Количество слов
128k
Количество бит на слово
8бит
Максимальное время произвольного доступа
25нс
Ширина адресной шины
17бит
Частота синхронизации
1МГц
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Тип корпуса
Тонкий корпус с уменьшенным расстоянием между выводами
Число контактов
44
Размеры
18.517 x 10.262 x 1.044мм
Максимальное рабочее напряжение питания
3,6 В
Высота
1.044мм
Минимальное рабочее напряжение питания
2,7 В
Минимальная рабочая температура
-40 °C
Максимальная рабочая температура
+85 °C
Длина
18.52мм
Ширина
10.262мм
Информация о товаре
Non-Volatile RAM, Cypress Semiconductor
Non-Volatile RAM (NVRAM)
NVRAMs are modules containing a CMOS static RAM and a non-rechargeable Lithium battery to maintain the data when the power supply is removed. Some devices in the range also incorporate a real-time clock (RTC).