Vishay TrenchFET P-Channel MOSFET, 8 A, 12 V, 6-Pin TSOP-6 SI3477DV-T1-GE3
Техническая документация
Характеристики
Brand
VishayТип канала
P
Максимальный непрерывный ток стока
8 A
Максимальное напряжение сток-исток
12 В
Серия
TrenchFET
Тип корпуса
TSOP-6
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Число контактов
6
Максимальное сопротивление сток-исток
33 мΩ
Номер канала
Поднятие
Минимальное пороговое напряжение включения
0.4V
Максимальное рассеяние мощности
4,2 Вт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
-10 В, +10 В
Ширина
1.7мм
Материал транзистора
Кремний
Количество элементов на ИС
1
Длина
3.1мм
Типичный заряд затвора при Vgs
58 нКл при 10 В
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Высота
1мм
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Страна происхождения
China
Информация о товаре
P-Channel MOSFET, TrenchFET Gen III, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
P.O.A.
Each (Supplied on a Reel) (ex VAT)
Производственная упаковка (Катушка )
20
P.O.A.
Each (Supplied on a Reel) (ex VAT)
Информация о наличии не успела загрузиться
Производственная упаковка (Катушка )
20
Информация о наличии не успела загрузиться
Техническая документация
Характеристики
Brand
VishayТип канала
P
Максимальный непрерывный ток стока
8 A
Максимальное напряжение сток-исток
12 В
Серия
TrenchFET
Тип корпуса
TSOP-6
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Число контактов
6
Максимальное сопротивление сток-исток
33 мΩ
Номер канала
Поднятие
Минимальное пороговое напряжение включения
0.4V
Максимальное рассеяние мощности
4,2 Вт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
-10 В, +10 В
Ширина
1.7мм
Материал транзистора
Кремний
Количество элементов на ИС
1
Длина
3.1мм
Типичный заряд затвора при Vgs
58 нКл при 10 В
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Высота
1мм
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Страна происхождения
China
Информация о товаре