Taiwan Semiconductor TSM60NB1R4CP ROG MOSFET

Brand

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

3,3 А

Максимальное напряжение сток-исток

600 В

Тип корпуса

DPAK (TO-252)

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток

1,4 Ω

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

4V

Минимальное пороговое напряжение включения

2V

Максимальное рассеяние мощности

38 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

±30 В

Количество элементов на ИС

1

Ширина

5.8мм

Длина

6.5мм

Типичный заряд затвора при Vgs

7,7 нКл при 10 В

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Прямое напряжение диода

1.4V

Высота

2.3мм