Техническая документация
Характеристики
Brand
STMicroelectronicsТип продукции
Драйвер общего назначения
Диапазон выходных частот
20A
Число контактов
2
Время спада
30μs
Корпус
TO-263
Тип драйвера
МОП-транзистор
Время нарастания
30μs
Минимальное напряжение питания
40V
Количество драйверов
1
Максимальная поддерживаемая емкость памяти
40V
Минимальная рабочая температура
-40°C
Максимальная рабочая температура
150°C
Длина
10.4мм
Материал каски/сварочной маски
4.6мм
Стандарты/одобрения
Нет
Тип монтажа
Поверхность
Автомобильный стандарт
Нет
Информация о товаре
The STMicroelectronics VNB10N07 are monolithic device made using VI Power M0 Technology, intended for replacement of standard power MOSFETS in DC to 50 KHz applications. It built-in thermal shut-down, linear current limitation and overvoltage clamp protect the chip in harsh environments. Fault feedback can be detected by monitoring the voltage at the input pin.
Информация о наличии не успела загрузиться
P.O.A.
Each (On a Reel of 1000) (ex VAT)
1000
P.O.A.
Each (On a Reel of 1000) (ex VAT)
Информация о наличии не успела загрузиться
1000
Техническая документация
Характеристики
Brand
STMicroelectronicsТип продукции
Драйвер общего назначения
Диапазон выходных частот
20A
Число контактов
2
Время спада
30μs
Корпус
TO-263
Тип драйвера
МОП-транзистор
Время нарастания
30μs
Минимальное напряжение питания
40V
Количество драйверов
1
Максимальная поддерживаемая емкость памяти
40V
Минимальная рабочая температура
-40°C
Максимальная рабочая температура
150°C
Длина
10.4мм
Материал каски/сварочной маски
4.6мм
Стандарты/одобрения
Нет
Тип монтажа
Поверхность
Автомобильный стандарт
Нет
Информация о товаре
The STMicroelectronics VNB10N07 are monolithic device made using VI Power M0 Technology, intended for replacement of standard power MOSFETS in DC to 50 KHz applications. It built-in thermal shut-down, linear current limitation and overvoltage clamp protect the chip in harsh environments. Fault feedback can be detected by monitoring the voltage at the input pin.
