Техническая документация
Характеристики
Brand
STMicroelectronicsТип продукции
Диод
Тип монтажа
Сквозное отверстие
Корпус
TO-220
Максимальный непрерывный прямой ток (If)
12A
Пиковое обратное повторяющееся напряжение (Vrrm)
650V
Конфигурация диода
Одиночный
Серия
STPSC12065
Число контактов
2
Пиковый обратный ток (Ir)
50μA
Максимальное прямое напряжение (Vf)
1.65V
Пиковый неповторяющийся прямой ток перегрузки (Ifsm)
220A
Минимальная рабочая температура
-40°C
Максимальная рабочая температура
175°C
Длина
15.95мм
Материал каски/сварочной маски
4.3мм
Стандарты/одобрения
Нет
Автомобильный стандарт
Нет
Информация о товаре
The STMicroelectronics 650V power schottky silicon carbide diode is an ultra high performance power schottky diode. It is manufactured using a silicon carbide substrate. Its high forward surge capability ensures good robustness during transient phases.
Информация о наличии не успела загрузиться
P.O.A.
Each (In a Tube of 50) (ex VAT)
50
P.O.A.
Each (In a Tube of 50) (ex VAT)
Информация о наличии не успела загрузиться
50
Техническая документация
Характеристики
Brand
STMicroelectronicsТип продукции
Диод
Тип монтажа
Сквозное отверстие
Корпус
TO-220
Максимальный непрерывный прямой ток (If)
12A
Пиковое обратное повторяющееся напряжение (Vrrm)
650V
Конфигурация диода
Одиночный
Серия
STPSC12065
Число контактов
2
Пиковый обратный ток (Ir)
50μA
Максимальное прямое напряжение (Vf)
1.65V
Пиковый неповторяющийся прямой ток перегрузки (Ifsm)
220A
Минимальная рабочая температура
-40°C
Максимальная рабочая температура
175°C
Длина
15.95мм
Материал каски/сварочной маски
4.3мм
Стандарты/одобрения
Нет
Автомобильный стандарт
Нет
Информация о товаре
The STMicroelectronics 650V power schottky silicon carbide diode is an ultra high performance power schottky diode. It is manufactured using a silicon carbide substrate. Its high forward surge capability ensures good robustness during transient phases.
