Техническая документация
Характеристики
Brand
STMicroelectronicsТип продукции
Диод Шоттки
Тип монтажа
Сквозное отверстие
Корпус
TO-220
Максимальный непрерывный прямой ток (If)
10A
Пиковое обратное повторяющееся напряжение (Vrrm)
650V
Конфигурация диода
Диод Шоттки из карбида кремния
Серия
STPSC
Тип выпрямителя
Диод Шоттки из карбида кремния (SiC)
Число контактов
2
Пиковый обратный ток (Ir)
425μA
Максимальное прямое напряжение (Vf)
1.3V
Минимальная рабочая температура
-55°C
Пиковый неповторяющийся прямой ток перегрузки (Ifsm)
650A
Максимальная рабочая температура
175°C
Длина
15.75мм
Материал каски/сварочной маски
4.6мм
Автомобильный стандарт
AEC-Q101
Страна происхождения
China
Информация о товаре
The STMicroelectronics SiC diode is an ultrahigh performance power Schottky rectifier. It is manufactured using a silicon carbide substrate. The wide band-gap material allows the design of a low VF Schottky diode structure with a 650 V rating. Due to the Schottky construction, no recovery is shown at turn-off and ringing patterns are negligible. The minimal capacitive turn-off behaviour is independent of temperature Based on latest technology optimization, this diode has an improved forward surge current capability, making it Ideal for use in PFC, where this ST SiC diode boosts the performance in hard switching conditions.
Информация о наличии не успела загрузиться
P.O.A.
1
P.O.A.
Информация о наличии не успела загрузиться
1
Техническая документация
Характеристики
Brand
STMicroelectronicsТип продукции
Диод Шоттки
Тип монтажа
Сквозное отверстие
Корпус
TO-220
Максимальный непрерывный прямой ток (If)
10A
Пиковое обратное повторяющееся напряжение (Vrrm)
650V
Конфигурация диода
Диод Шоттки из карбида кремния
Серия
STPSC
Тип выпрямителя
Диод Шоттки из карбида кремния (SiC)
Число контактов
2
Пиковый обратный ток (Ir)
425μA
Максимальное прямое напряжение (Vf)
1.3V
Минимальная рабочая температура
-55°C
Пиковый неповторяющийся прямой ток перегрузки (Ifsm)
650A
Максимальная рабочая температура
175°C
Длина
15.75мм
Материал каски/сварочной маски
4.6мм
Автомобильный стандарт
AEC-Q101
Страна происхождения
China
Информация о товаре
The STMicroelectronics SiC diode is an ultrahigh performance power Schottky rectifier. It is manufactured using a silicon carbide substrate. The wide band-gap material allows the design of a low VF Schottky diode structure with a 650 V rating. Due to the Schottky construction, no recovery is shown at turn-off and ringing patterns are negligible. The minimal capacitive turn-off behaviour is independent of temperature Based on latest technology optimization, this diode has an improved forward surge current capability, making it Ideal for use in PFC, where this ST SiC diode boosts the performance in hard switching conditions.
