STMicroelectronics STripFET P-Channel MOSFET, 12 A, 30 V, 3-Pin DPAK STD26P3LLH6

Код товара RS: 792-5717Бренд: STMicroelectronicsПарт-номер производителя: STD26P3LLH6
brand-logo

Техническая документация

Характеристики

Тип канала

P

Максимальный непрерывный ток стока

12 A

Максимальное напряжение сток-исток

30 В

Серия

STripFET

Тип корпуса

DPAK (TO-252)

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток

45 мΩ

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

2.5V

Минимальное пороговое напряжение включения

1V

Максимальное рассеяние мощности

40 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-20 В, +20 В

Ширина

6.2мм

Материал транзистора

Кремний

Количество элементов на ИС

1

Длина

6.6мм

Типичный заряд затвора при Vgs

12 нКл при 4,5 В

Максимальная рабочая температура

+175 °C

Высота

2.4мм

Информация о товаре

P-Channel STripFET™ Power MOSFET, STMicroelectronics

STripFET™ MOSFETs with a wide breakdown voltage range offer ultra-low gate charge and low on-resistance.

MOSFET Transistors, STMicroelectronics

тг 2 503,20

тг 250,32 Each (In a Pack of 10) (ex VAT)

STMicroelectronics STripFET P-Channel MOSFET, 12 A, 30 V, 3-Pin DPAK STD26P3LLH6
Select packaging type

тг 2 503,20

тг 250,32 Each (In a Pack of 10) (ex VAT)

STMicroelectronics STripFET P-Channel MOSFET, 12 A, 30 V, 3-Pin DPAK STD26P3LLH6

Информация о наличии не успела загрузиться

Select packaging type

Информация о наличии не успела загрузиться

КоличествоЦена единицыPer Упаковка
10 - 20тг 250,32тг 2 503,20
30 - 90тг 245,85тг 2 458,50
100 - 240тг 187,74тг 1 877,40
250 - 490тг 183,27тг 1 832,70
500+тг 178,80тг 1 788,00

Техническая документация

Характеристики

Тип канала

P

Максимальный непрерывный ток стока

12 A

Максимальное напряжение сток-исток

30 В

Серия

STripFET

Тип корпуса

DPAK (TO-252)

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток

45 мΩ

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

2.5V

Минимальное пороговое напряжение включения

1V

Максимальное рассеяние мощности

40 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-20 В, +20 В

Ширина

6.2мм

Материал транзистора

Кремний

Количество элементов на ИС

1

Длина

6.6мм

Типичный заряд затвора при Vgs

12 нКл при 4,5 В

Максимальная рабочая температура

+175 °C

Высота

2.4мм

Информация о товаре

P-Channel STripFET™ Power MOSFET, STMicroelectronics

STripFET™ MOSFETs with a wide breakdown voltage range offer ultra-low gate charge and low on-resistance.

MOSFET Transistors, STMicroelectronics