onsemi PowerTrench P-Channel MOSFET, 7.8 A, 20 V, 6-Pin MicroFET 2 x 2 FDMA510PZ

Код товара RS: 739-6250Бренд: onsemiПарт-номер производителя: FDMA510PZ
brand-logo
Просмотреть все в МОП-транзисторы

Техническая документация

Характеристики

Brand

onsemi

Тип канала

P

Максимальный непрерывный ток стока

7,8 A

Максимальное напряжение сток-исток

20 В

Серия

PowerTrench

Тип корпуса

MLP

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

6

Максимальное сопротивление сток-исток

90 мΩ

Номер канала

Поднятие

Минимальное пороговое напряжение включения

0.4V

Максимальное рассеяние мощности

2,4 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-8 В, +8 В

Типичный заряд затвора при Vgs

19 нКл при 4,5 В

Ширина

2мм

Материал транзистора

Кремний

Количество элементов на ИС

1

Длина

2мм

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Высота

0.75мм

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Информация о товаре

PowerTrench® P-Channel MOSFET, Fairchild Semiconductor

PowerTrench® MOSFETs are optimised power switches that offer increase of system efficiency and power density. They combine small gate charge(Qg), small reverse recovery charge(Qrr) and soft reverse recovery body diode, which contributes to fast switching of synchronous rectification in AC/DC power supplies.
The latest PowerTrench® MOSFETs employa shielded-gate structure that provides charge balance. By utilizing this advanced technology, the FOM (Figure of Merit) of these devices is significant lower than that of previous generations.
Soft body diode performance of the PowerTrench® MOSFETs is able to eliminate snubber circuits or replace a higher voltage rating MOSFET.

MOSFET Transistors, ON Semi

ON Semi offers a substantial portfolio of MOSFET devices that includes high-voltage (>250V) and low-voltage (<250V) types. The advanced silicon technology provides smaller die sizes, which it is incorporated into multiple industry-standard and thermally-enhanced packages.
ON Semi MOSFETs provide superior design reliability from reduced voltage spikes and overshoot, to lower junction capacitance and reverse recovery charge, to elimination of additional external components to keep systems up and running longer.

тг 536,40

тг 107,28 Each (In a Pack of 5) (ex VAT)

onsemi PowerTrench P-Channel MOSFET, 7.8 A, 20 V, 6-Pin MicroFET 2 x 2 FDMA510PZ
Select packaging type

Стандартная упаковка

Select packaging type

Стандартная упаковка - each

Доступно в кратности 5.

Производственная упаковка -

Доступно в кратности 5.

Рекомендуется для заказа в больших количествах. Изделия упакованы и готовы к установке в оборудование, что позволяет повысить эффективность производства.

5

Доступно в кратности 5
5тг 536,40
10тг 1 072,80
15тг 1 609,20
20тг 2 145,60
25тг 2 682,00
30тг 3 218,40
35тг 3 754,80
40тг 4 291,20
45тг 4 827,60
50тг 5 364,00
55тг 5 900,40
60тг 6 436,80
65тг 6 973,20
70тг 7 509,60
75тг 8 046,00

тг 536,40

тг 107,28 Each (In a Pack of 5) (ex VAT)

onsemi PowerTrench P-Channel MOSFET, 7.8 A, 20 V, 6-Pin MicroFET 2 x 2 FDMA510PZ

Информация о наличии не успела загрузиться

Select packaging type

Стандартная упаковка

Select packaging type

Стандартная упаковка - each

Доступно в кратности 5.

Производственная упаковка -

Доступно в кратности 5.

Рекомендуется для заказа в больших количествах. Изделия упакованы и готовы к установке в оборудование, что позволяет повысить эффективность производства.

5

Доступно в кратности 5
5тг 536,40
10тг 1 072,80
15тг 1 609,20
20тг 2 145,60
25тг 2 682,00
30тг 3 218,40
35тг 3 754,80
40тг 4 291,20
45тг 4 827,60
50тг 5 364,00
55тг 5 900,40
60тг 6 436,80
65тг 6 973,20
70тг 7 509,60
75тг 8 046,00

Информация о наличии не успела загрузиться

КоличествоЦена единицыPer Упаковка
5 - 20тг 107,28тг 536,40
25 - 95тг 107,28тг 536,40
100 - 245тг 107,28тг 536,40
250 - 495тг 102,81тг 514,05
500+тг 102,81тг 514,05

Техническая документация

Характеристики

Brand

onsemi

Тип канала

P

Максимальный непрерывный ток стока

7,8 A

Максимальное напряжение сток-исток

20 В

Серия

PowerTrench

Тип корпуса

MLP

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

6

Максимальное сопротивление сток-исток

90 мΩ

Номер канала

Поднятие

Минимальное пороговое напряжение включения

0.4V

Максимальное рассеяние мощности

2,4 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-8 В, +8 В

Типичный заряд затвора при Vgs

19 нКл при 4,5 В

Ширина

2мм

Материал транзистора

Кремний

Количество элементов на ИС

1

Длина

2мм

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Высота

0.75мм

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Информация о товаре

PowerTrench® P-Channel MOSFET, Fairchild Semiconductor

PowerTrench® MOSFETs are optimised power switches that offer increase of system efficiency and power density. They combine small gate charge(Qg), small reverse recovery charge(Qrr) and soft reverse recovery body diode, which contributes to fast switching of synchronous rectification in AC/DC power supplies.
The latest PowerTrench® MOSFETs employa shielded-gate structure that provides charge balance. By utilizing this advanced technology, the FOM (Figure of Merit) of these devices is significant lower than that of previous generations.
Soft body diode performance of the PowerTrench® MOSFETs is able to eliminate snubber circuits or replace a higher voltage rating MOSFET.

MOSFET Transistors, ON Semi

ON Semi offers a substantial portfolio of MOSFET devices that includes high-voltage (>250V) and low-voltage (<250V) types. The advanced silicon technology provides smaller die sizes, which it is incorporated into multiple industry-standard and thermally-enhanced packages.
ON Semi MOSFETs provide superior design reliability from reduced voltage spikes and overshoot, to lower junction capacitance and reverse recovery charge, to elimination of additional external components to keep systems up and running longer.