Infineon SPP04N80C3XKSA1 MOSFET

Техническая документация
Характеристики
Brand
InfineonТип канала
N
Максимальный непрерывный ток стока
4 А
Максимальное напряжение сток-исток
800 В
Тип корпуса
TO-220
Серия
CoolMOS C3
Тип монтажа
Монтаж на плату в отверстия
Число контактов
3
Максимальное сопротивление сток-исток
1,3 Ω
Номер канала
Поднятие
Максимальное пороговое напряжение включения
3.9V
Минимальное пороговое напряжение включения
2.1V
Максимальное рассеяние мощности
63 Вт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
-30 В, +30 В
Количество элементов на ИС
1
Длина
10.36мм
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Типичный заряд затвора при Vgs
23 нКл при 10 В
Ширина
4.57мм
Материал транзистора
Кремний
Высота
15.95мм
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Информация о товаре
Infineon CoolMOS™C3 Power MOSFET
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.
тг 1 939,98
тг 969,99 Each (In a Pack of 2) (ex VAT)
Стандартная упаковка
2
тг 1 939,98
тг 969,99 Each (In a Pack of 2) (ex VAT)
Информация о наличии не успела загрузиться
Стандартная упаковка
2
Информация о наличии не успела загрузиться
Количество | Цена единицы | Per Упаковка |
---|---|---|
2 - 48 | тг 969,99 | тг 1 939,98 |
50 - 198 | тг 742,02 | тг 1 484,04 |
200 - 998 | тг 679,44 | тг 1 358,88 |
1000 - 1998 | тг 455,94 | тг 911,88 |
2000+ | тг 442,53 | тг 885,06 |
Техническая документация
Характеристики
Brand
InfineonТип канала
N
Максимальный непрерывный ток стока
4 А
Максимальное напряжение сток-исток
800 В
Тип корпуса
TO-220
Серия
CoolMOS C3
Тип монтажа
Монтаж на плату в отверстия
Число контактов
3
Максимальное сопротивление сток-исток
1,3 Ω
Номер канала
Поднятие
Максимальное пороговое напряжение включения
3.9V
Минимальное пороговое напряжение включения
2.1V
Максимальное рассеяние мощности
63 Вт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
-30 В, +30 В
Количество элементов на ИС
1
Длина
10.36мм
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Типичный заряд затвора при Vgs
23 нКл при 10 В
Ширина
4.57мм
Материал транзистора
Кремний
Высота
15.95мм
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Информация о товаре
Infineon CoolMOS™C3 Power MOSFET
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.