Infineon SPP04N80C3XKSA1 MOSFET

Код товара RS: 753-3197Бренд: InfineonПарт-номер производителя: SPP04N80C3XKSA1Distrelec Article No.: 30284150
brand-logo

Техническая документация

Характеристики

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

4 А

Максимальное напряжение сток-исток

800 В

Тип корпуса

TO-220

Серия

CoolMOS C3

Тип монтажа

Монтаж на плату в отверстия

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток

1,3 Ω

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

3.9V

Минимальное пороговое напряжение включения

2.1V

Максимальное рассеяние мощности

63 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-30 В, +30 В

Количество элементов на ИС

1

Длина

10.36мм

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Типичный заряд затвора при Vgs

23 нКл при 10 В

Ширина

4.57мм

Материал транзистора

Кремний

Высота

15.95мм

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Информация о товаре

Infineon CoolMOS™C3 Power MOSFET

MOSFET Transistors, Infineon

Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.

тг 1 939,98

тг 969,99 Each (In a Pack of 2) (ex VAT)

Infineon SPP04N80C3XKSA1 MOSFET
Select packaging type

тг 1 939,98

тг 969,99 Each (In a Pack of 2) (ex VAT)

Infineon SPP04N80C3XKSA1 MOSFET

Информация о наличии не успела загрузиться

Select packaging type

Информация о наличии не успела загрузиться

КоличествоЦена единицыPer Упаковка
2 - 48тг 969,99тг 1 939,98
50 - 198тг 742,02тг 1 484,04
200 - 998тг 679,44тг 1 358,88
1000 - 1998тг 455,94тг 911,88
2000+тг 442,53тг 885,06

Техническая документация

Характеристики

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

4 А

Максимальное напряжение сток-исток

800 В

Тип корпуса

TO-220

Серия

CoolMOS C3

Тип монтажа

Монтаж на плату в отверстия

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток

1,3 Ω

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

3.9V

Минимальное пороговое напряжение включения

2.1V

Максимальное рассеяние мощности

63 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-30 В, +30 В

Количество элементов на ИС

1

Длина

10.36мм

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Типичный заряд затвора при Vgs

23 нКл при 10 В

Ширина

4.57мм

Материал транзистора

Кремний

Высота

15.95мм

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Информация о товаре

Infineon CoolMOS™C3 Power MOSFET

MOSFET Transistors, Infineon

Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.