Infineon HEXFET Silicon N-Channel MOSFET, 84 A, 60 V, 3-Pin D2PAK IRF1010ESTRLPBF

Код товара RS: 222-4732Бренд: InfineonПарт-номер производителя: IRF1010ESTRLPBFDistrelec Article No.: 30284002
brand-logo
Просмотреть все в МОП-транзисторы

Техническая документация

Характеристики

Brand

Infineon

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

84 А

Максимальное напряжение сток-исток

60 В

Серия

HEXFET

Тип корпуса

D2PAK (TO-263)

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток

0.012 Ω

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

4V

Количество элементов на ИС

1

Материал транзистора

Кремний

P.O.A.

Each (On a Reel of 800) (ex VAT)

Infineon HEXFET Silicon N-Channel MOSFET, 84 A, 60 V, 3-Pin D2PAK IRF1010ESTRLPBF

800

Доступно в кратности 800
800P.O.A.
1600P.O.A.
2400P.O.A.
3200P.O.A.
4000P.O.A.
4800P.O.A.
5600P.O.A.
6400P.O.A.
7200P.O.A.
8000P.O.A.
8800P.O.A.
9600P.O.A.
10400P.O.A.
11200P.O.A.
12000P.O.A.

P.O.A.

Each (On a Reel of 800) (ex VAT)

Infineon HEXFET Silicon N-Channel MOSFET, 84 A, 60 V, 3-Pin D2PAK IRF1010ESTRLPBF

Информация о наличии не успела загрузиться

800

Доступно в кратности 800
800P.O.A.
1600P.O.A.
2400P.O.A.
3200P.O.A.
4000P.O.A.
4800P.O.A.
5600P.O.A.
6400P.O.A.
7200P.O.A.
8000P.O.A.
8800P.O.A.
9600P.O.A.
10400P.O.A.
11200P.O.A.
12000P.O.A.

Информация о наличии не успела загрузиться

Техническая документация

Характеристики

Brand

Infineon

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

84 А

Максимальное напряжение сток-исток

60 В

Серия

HEXFET

Тип корпуса

D2PAK (TO-263)

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток

0.012 Ω

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

4V

Количество элементов на ИС

1

Материал транзистора

Кремний