Infineon CoolMOS™ Silicon N-Channel MOSFET, 9 A, 650 V, 3-Pin DPAK IPD60R280CFD7ATMA1

Код товара RS: 222-4670Бренд: InfineonПарт-номер производителя: IPD60R280CFD7ATMA1
brand-logo
Просмотреть все в МОП-транзисторы

Техническая документация

Характеристики

Brand

Infineon

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

9 A

Максимальное напряжение сток-исток

650 В

Серия

CoolMOS

Тип корпуса

TO-252

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток

0.28 Ω

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

4.5V

Количество элементов на ИС

1

Материал транзистора

Кремний

P.O.A.

Each (On a Reel of 2500) (ex VAT)

Infineon CoolMOS™ Silicon N-Channel MOSFET, 9 A, 650 V, 3-Pin DPAK IPD60R280CFD7ATMA1

2500

Доступно в кратности 2500
2500P.O.A.
5000P.O.A.
7500P.O.A.
10000P.O.A.
12500P.O.A.
15000P.O.A.
17500P.O.A.
20000P.O.A.
22500P.O.A.
25000P.O.A.
27500P.O.A.
30000P.O.A.
32500P.O.A.
35000P.O.A.
37500P.O.A.

P.O.A.

Each (On a Reel of 2500) (ex VAT)

Infineon CoolMOS™ Silicon N-Channel MOSFET, 9 A, 650 V, 3-Pin DPAK IPD60R280CFD7ATMA1

Информация о наличии не успела загрузиться

2500

Доступно в кратности 2500
2500P.O.A.
5000P.O.A.
7500P.O.A.
10000P.O.A.
12500P.O.A.
15000P.O.A.
17500P.O.A.
20000P.O.A.
22500P.O.A.
25000P.O.A.
27500P.O.A.
30000P.O.A.
32500P.O.A.
35000P.O.A.
37500P.O.A.

Информация о наличии не успела загрузиться

Техническая документация

Характеристики

Brand

Infineon

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

9 A

Максимальное напряжение сток-исток

650 В

Серия

CoolMOS

Тип корпуса

TO-252

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток

0.28 Ω

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

4.5V

Количество элементов на ИС

1

Материал транзистора

Кремний