DiodesZetex ZXMHC3A01T8TA MOSFET

Код товара RS: 823-1877PБренд: DiodesZetexПарт-номер производителя: ZXMHC3A01T8TA
brand-logo
Просмотреть все в МОП-транзисторы

Техническая документация

Характеристики

Brand

DiodesZetex

Тип канала

N, P

Максимальный непрерывный ток стока

1,8 А, 3,1 А

Максимальное напряжение сток-исток

30 В

Тип корпуса

SM

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

8

Максимальное сопротивление сток-исток

180 мОм, 330 мОм

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

3V

Максимальное рассеяние мощности

1,7 Вт

Конфигурация транзистора

Полномостовой

Максимальное напряжение затвор-исток

-20 В, +20 В

Ширина

3.7мм

Материал транзистора

Кремний

Количество элементов на ИС

4

Длина

6.7мм

Типичный заряд затвора при Vgs

3,9 нКл при 10 В, 5,2 нКл при 10 В

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Высота

1.6мм

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Информация о товаре

Complementary Enhancement Mode MOSFET H-Bridge, Diodes Inc.

MOSFET Transistors, Diodes Inc.

P.O.A.

Each (Supplied on a Reel) (ex VAT)

DiodesZetex ZXMHC3A01T8TA MOSFET
Select packaging type

Производственная упаковка (Катушка )

Select packaging type

Стандартная упаковка - each

Доступно в кратности 5.

Производственная упаковка -

Доступно в кратности 5.

Рекомендуется для заказа в больших количествах. Изделия упакованы и готовы к установке в оборудование, что позволяет повысить эффективность производства.

5

Доступно в кратности 5
5P.O.A.
10P.O.A.
15P.O.A.
20P.O.A.
25P.O.A.
30P.O.A.
35P.O.A.
40P.O.A.
45P.O.A.
50P.O.A.
55P.O.A.
60P.O.A.
65P.O.A.
70P.O.A.
75P.O.A.

P.O.A.

Each (Supplied on a Reel) (ex VAT)

DiodesZetex ZXMHC3A01T8TA MOSFET

Информация о наличии не успела загрузиться

Select packaging type

Производственная упаковка (Катушка )

Select packaging type

Стандартная упаковка - each

Доступно в кратности 5.

Производственная упаковка -

Доступно в кратности 5.

Рекомендуется для заказа в больших количествах. Изделия упакованы и готовы к установке в оборудование, что позволяет повысить эффективность производства.

5

Доступно в кратности 5
5P.O.A.
10P.O.A.
15P.O.A.
20P.O.A.
25P.O.A.
30P.O.A.
35P.O.A.
40P.O.A.
45P.O.A.
50P.O.A.
55P.O.A.
60P.O.A.
65P.O.A.
70P.O.A.
75P.O.A.

Информация о наличии не успела загрузиться

Техническая документация

Характеристики

Brand

DiodesZetex

Тип канала

N, P

Максимальный непрерывный ток стока

1,8 А, 3,1 А

Максимальное напряжение сток-исток

30 В

Тип корпуса

SM

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

8

Максимальное сопротивление сток-исток

180 мОм, 330 мОм

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

3V

Максимальное рассеяние мощности

1,7 Вт

Конфигурация транзистора

Полномостовой

Максимальное напряжение затвор-исток

-20 В, +20 В

Ширина

3.7мм

Материал транзистора

Кремний

Количество элементов на ИС

4

Длина

6.7мм

Типичный заряд затвора при Vgs

3,9 нКл при 10 В, 5,2 нКл при 10 В

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Высота

1.6мм

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Информация о товаре

Complementary Enhancement Mode MOSFET H-Bridge, Diodes Inc.

MOSFET Transistors, Diodes Inc.