Diodes Inc P-Channel MOSFET, 11 A, 20 V, 8-Pin PowerDI3333-8 DMP2008UFG-7

Код товара RS: 822-2611PБренд: DiodesZetexПарт-номер производителя: DMP2008UFG-7
brand-logo
Просмотреть все в МОП-транзисторы

Техническая документация

Характеристики

Brand

DiodesZetex

Тип канала

P

Максимальный непрерывный ток стока

11 A

Максимальное напряжение сток-исток

20 В

Тип корпуса

PowerDI3333-8

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

8

Максимальное сопротивление сток-исток

17 мΩ

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

1V

Максимальное рассеяние мощности

41 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-8 В, +8 В

Ширина

3.35мм

Материал транзистора

Кремний

Количество элементов на ИС

1

Длина

3.35мм

Типичный заряд затвора при Vgs

72 нКл при 4,5 В

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Высота

0.85мм

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Страна происхождения

China

Информация о товаре

P-Channel MOSFET, 12V to 25V, Diodes Inc

MOSFET Transistors, Diodes Inc.

P.O.A.

Each (Supplied on a Reel) (ex VAT)

Diodes Inc P-Channel MOSFET, 11 A, 20 V, 8-Pin PowerDI3333-8 DMP2008UFG-7
Select packaging type

Производственная упаковка (Катушка )

Select packaging type

Стандартная упаковка - each

Доступно в кратности 25.

Производственная упаковка -

Доступно в кратности 25.

Рекомендуется для заказа в больших количествах. Изделия упакованы и готовы к установке в оборудование, что позволяет повысить эффективность производства.

25

Доступно в кратности 25
25P.O.A.
50P.O.A.
75P.O.A.
100P.O.A.
125P.O.A.
150P.O.A.
175P.O.A.
200P.O.A.
225P.O.A.
250P.O.A.
275P.O.A.
300P.O.A.
325P.O.A.
350P.O.A.
375P.O.A.

P.O.A.

Each (Supplied on a Reel) (ex VAT)

Diodes Inc P-Channel MOSFET, 11 A, 20 V, 8-Pin PowerDI3333-8 DMP2008UFG-7

Информация о наличии не успела загрузиться

Select packaging type

Производственная упаковка (Катушка )

Select packaging type

Стандартная упаковка - each

Доступно в кратности 25.

Производственная упаковка -

Доступно в кратности 25.

Рекомендуется для заказа в больших количествах. Изделия упакованы и готовы к установке в оборудование, что позволяет повысить эффективность производства.

25

Доступно в кратности 25
25P.O.A.
50P.O.A.
75P.O.A.
100P.O.A.
125P.O.A.
150P.O.A.
175P.O.A.
200P.O.A.
225P.O.A.
250P.O.A.
275P.O.A.
300P.O.A.
325P.O.A.
350P.O.A.
375P.O.A.

Информация о наличии не успела загрузиться

Техническая документация

Характеристики

Brand

DiodesZetex

Тип канала

P

Максимальный непрерывный ток стока

11 A

Максимальное напряжение сток-исток

20 В

Тип корпуса

PowerDI3333-8

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

8

Максимальное сопротивление сток-исток

17 мΩ

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

1V

Максимальное рассеяние мощности

41 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-8 В, +8 В

Ширина

3.35мм

Материал транзистора

Кремний

Количество элементов на ИС

1

Длина

3.35мм

Типичный заряд затвора при Vgs

72 нКл при 4,5 В

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Высота

0.85мм

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Страна происхождения

China

Информация о товаре

P-Channel MOSFET, 12V to 25V, Diodes Inc

MOSFET Transistors, Diodes Inc.