SiC N-Channel MOSFET, 35 A, 900 V, 7-Pin D2PAK Wolfspeed C3M0065090J

Код товара RS: 915-8830Бренд: WolfspeedПарт-номер производителя: C3M0065090J
brand-logo
Просмотреть все в МОП-транзисторы

Техническая документация

Характеристики

Brand

Wolfspeed

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

35 A

Максимальное напряжение сток-исток

900 В

Тип корпуса

D2PAK (TO-263)

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

7

Максимальное сопротивление сток-исток

78 мΩ

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

2.1V

Минимальное пороговое напряжение включения

1.8V

Максимальное рассеяние мощности

113 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

+25 В

Количество элементов на ИС

1

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Длина

10.23мм

Типичный заряд затвора при Vgs

30 нКл при 15 В

Ширина

10.99мм

Материал транзистора

SiC

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Прямое напряжение диода

4.4V

Высота

4.57мм

Страна происхождения

China

Информация о товаре

Wolfspeed Silicon Carbide Power MOSFETs

Wolfspeed Z-Fet™, C2M™ & C3M™ Silicon Carbide Power MOSFETs. A range of second generation SiC MOSFETs from Cree's power division Wolfspeed which deliver industry-leading power density and switching efficiency. These low-capacitance devices allow higher switching frequencies and have reduced cooling requirements improving overall system operating efficiency.

MOSFET Transistors, Wolfspeed

Информация о наличии не успела загрузиться

Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)

Информация о наличии не успела загрузиться

P.O.A.

SiC N-Channel MOSFET, 35 A, 900 V, 7-Pin D2PAK Wolfspeed C3M0065090J
Select packaging type

Стандартная упаковка

Select packaging type

Стандартная упаковка - each

Доступно в кратности 1.

Производственная упаковка -

Доступно в кратности 1.

Рекомендуется для заказа в больших количествах. Изделия упакованы и готовы к установке в оборудование, что позволяет повысить эффективность производства.

1

Доступно в кратности 1
1P.O.A.
2P.O.A.
3P.O.A.
4P.O.A.
5P.O.A.
6P.O.A.
7P.O.A.
8P.O.A.
9P.O.A.
10P.O.A.
11P.O.A.
12P.O.A.
13P.O.A.
14P.O.A.
15P.O.A.

P.O.A.

SiC N-Channel MOSFET, 35 A, 900 V, 7-Pin D2PAK Wolfspeed C3M0065090J
Информация о наличии не успела загрузиться
Select packaging type

Стандартная упаковка

Select packaging type

Стандартная упаковка - each

Доступно в кратности 1.

Производственная упаковка -

Доступно в кратности 1.

Рекомендуется для заказа в больших количествах. Изделия упакованы и готовы к установке в оборудование, что позволяет повысить эффективность производства.

1

Доступно в кратности 1
1P.O.A.
2P.O.A.
3P.O.A.
4P.O.A.
5P.O.A.
6P.O.A.
7P.O.A.
8P.O.A.
9P.O.A.
10P.O.A.
11P.O.A.
12P.O.A.
13P.O.A.
14P.O.A.
15P.O.A.

Техническая документация

Характеристики

Brand

Wolfspeed

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

35 A

Максимальное напряжение сток-исток

900 В

Тип корпуса

D2PAK (TO-263)

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

7

Максимальное сопротивление сток-исток

78 мΩ

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

2.1V

Минимальное пороговое напряжение включения

1.8V

Максимальное рассеяние мощности

113 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

+25 В

Количество элементов на ИС

1

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Длина

10.23мм

Типичный заряд затвора при Vgs

30 нКл при 15 В

Ширина

10.99мм

Материал транзистора

SiC

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Прямое напряжение диода

4.4V

Высота

4.57мм

Страна происхождения

China

Информация о товаре

Wolfspeed Silicon Carbide Power MOSFETs

Wolfspeed Z-Fet™, C2M™ & C3M™ Silicon Carbide Power MOSFETs. A range of second generation SiC MOSFETs from Cree's power division Wolfspeed which deliver industry-leading power density and switching efficiency. These low-capacitance devices allow higher switching frequencies and have reduced cooling requirements improving overall system operating efficiency.

MOSFET Transistors, Wolfspeed