Vishay SIS468DN-T1-GE3 MOSFET

Код товара RS: 165-7076Бренд: VishayПарт-номер производителя: SIS468DN-T1-GE3
brand-logo

Техническая документация

Характеристики

Brand

Vishay

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

30 A

Максимальное напряжение сток-исток

80 V

Серия

ThunderFET

Тип корпуса

PowerPAK 1212

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

8

Максимальное сопротивление сток-исток

32 мΩ

Номер канала

Поднятие

Минимальное пороговое напряжение включения

1.5V

Максимальное рассеяние мощности

52 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-20 В, +20 В

Ширина

3.4мм

Количество элементов на ИС

1

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Материал транзистора

Кремний

Длина

3.4мм

Типичный заряд затвора при Vgs

18,1 нКл при 10 В

Высота

1.12мм

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Информация о товаре

N-Channel MOSFET, Medium Voltage/ThunderFET®, Vishay Semiconductor

MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor

Информация о наличии не успела загрузиться

Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)

Информация о наличии не успела загрузиться

P.O.A.

Vishay SIS468DN-T1-GE3 MOSFET

P.O.A.

Vishay SIS468DN-T1-GE3 MOSFET
Информация о наличии не успела загрузиться

Техническая документация

Характеристики

Brand

Vishay

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

30 A

Максимальное напряжение сток-исток

80 V

Серия

ThunderFET

Тип корпуса

PowerPAK 1212

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

8

Максимальное сопротивление сток-исток

32 мΩ

Номер канала

Поднятие

Минимальное пороговое напряжение включения

1.5V

Максимальное рассеяние мощности

52 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-20 В, +20 В

Ширина

3.4мм

Количество элементов на ИС

1

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Материал транзистора

Кремний

Длина

3.4мм

Типичный заряд затвора при Vgs

18,1 нКл при 10 В

Высота

1.12мм

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Информация о товаре

N-Channel MOSFET, Medium Voltage/ThunderFET®, Vishay Semiconductor

MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor