Vishay SI7850DP-T1-E3 MOSFET

Код товара RS: 710-4764Бренд: VishayПарт-номер производителя: SI7850DP-T1-E3
brand-logo

Техническая документация

Характеристики

Brand

Vishay

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

6,2 A

Максимальное напряжение сток-исток

60 В

Тип корпуса

PowerPAK SO-8

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

8

Максимальное сопротивление сток-исток

22 мΩ

Номер канала

Поднятие

Минимальное пороговое напряжение включения

1V

Максимальное рассеяние мощности

1,8 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-20 В, +20 В

Ширина

5.89мм

Материал транзистора

Кремний

Количество элементов на ИС

1

Длина

4.9мм

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Типичный заряд затвора при Vgs

18 нКл при 10 В

Высота

1.04мм

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Информация о товаре

N-Channel MOSFET, 60V to 90V, Vishay Semiconductor

MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor

Вас может заинтересовать

тг 3 441,90

тг 688,38 Each (In a Pack of 5) (ex VAT)

Vishay SI7850DP-T1-E3 MOSFET
Select packaging type

тг 3 441,90

тг 688,38 Each (In a Pack of 5) (ex VAT)

Vishay SI7850DP-T1-E3 MOSFET

Информация о наличии не успела загрузиться

Select packaging type

Информация о наличии не успела загрузиться

КоличествоЦена единицыPer Упаковка
5 - 20тг 688,38тг 3 441,90
25 - 95тг 540,87тг 2 704,35
100 - 245тг 487,23тг 2 436,15
250 - 495тг 424,65тг 2 123,25
500+тг 379,95тг 1 899,75
Вас может заинтересовать

Техническая документация

Характеристики

Brand

Vishay

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

6,2 A

Максимальное напряжение сток-исток

60 В

Тип корпуса

PowerPAK SO-8

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

8

Максимальное сопротивление сток-исток

22 мΩ

Номер канала

Поднятие

Минимальное пороговое напряжение включения

1V

Максимальное рассеяние мощности

1,8 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-20 В, +20 В

Ширина

5.89мм

Материал транзистора

Кремний

Количество элементов на ИС

1

Длина

4.9мм

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Типичный заряд затвора при Vgs

18 нКл при 10 В

Высота

1.04мм

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Информация о товаре

N-Channel MOSFET, 60V to 90V, Vishay Semiconductor

MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor

Вас может заинтересовать