Vishay Dual P-Channel MOSFET, 6.5 A, 40 V, 8-Pin SOIC SI4909DY-T1-GE3

Код товара RS: 818-1302PБренд: VishayПарт-номер производителя: SI4909DY-T1-GE3
brand-logo
Просмотреть все в МОП-транзисторы

Техническая документация

Характеристики

Brand

Vishay

Тип канала

P

Максимальный непрерывный ток стока

6,5 А

Максимальное напряжение сток-исток

40 В

Тип корпуса

SOIC

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

8

Максимальное сопротивление сток-исток

34 мΩ

Номер канала

Поднятие

Минимальное пороговое напряжение включения

1.2V

Максимальное рассеяние мощности

3,2 Вт

Конфигурация транзистора

Изолированный

Максимальное напряжение затвор-исток

-20 В, +20 В

Ширина

4мм

Количество элементов на ИС

2

Длина

5мм

Материал транзистора

Кремний

Типичный заряд затвора при Vgs

41,5 нКл при 10 В

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Высота

1.55мм

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Страна происхождения

China

Информация о товаре

Dual P-Channel MOSFET, Vishay Semiconductor

MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor

P.O.A.

Each (Supplied on a Reel) (ex VAT)

Vishay Dual P-Channel MOSFET, 6.5 A, 40 V, 8-Pin SOIC SI4909DY-T1-GE3
Select packaging type

Производственная упаковка (Катушка )

Select packaging type

Стандартная упаковка - each

Доступно в кратности 20.

Производственная упаковка -

Доступно в кратности 20.

Рекомендуется для заказа в больших количествах. Изделия упакованы и готовы к установке в оборудование, что позволяет повысить эффективность производства.

20

Доступно в кратности 20
20P.O.A.
40P.O.A.
60P.O.A.
80P.O.A.
100P.O.A.
120P.O.A.
140P.O.A.
160P.O.A.
180P.O.A.
200P.O.A.
220P.O.A.
240P.O.A.
260P.O.A.
280P.O.A.
300P.O.A.

P.O.A.

Each (Supplied on a Reel) (ex VAT)

Vishay Dual P-Channel MOSFET, 6.5 A, 40 V, 8-Pin SOIC SI4909DY-T1-GE3

Информация о наличии не успела загрузиться

Select packaging type

Производственная упаковка (Катушка )

Select packaging type

Стандартная упаковка - each

Доступно в кратности 20.

Производственная упаковка -

Доступно в кратности 20.

Рекомендуется для заказа в больших количествах. Изделия упакованы и готовы к установке в оборудование, что позволяет повысить эффективность производства.

20

Доступно в кратности 20
20P.O.A.
40P.O.A.
60P.O.A.
80P.O.A.
100P.O.A.
120P.O.A.
140P.O.A.
160P.O.A.
180P.O.A.
200P.O.A.
220P.O.A.
240P.O.A.
260P.O.A.
280P.O.A.
300P.O.A.

Информация о наличии не успела загрузиться

Техническая документация

Характеристики

Brand

Vishay

Тип канала

P

Максимальный непрерывный ток стока

6,5 А

Максимальное напряжение сток-исток

40 В

Тип корпуса

SOIC

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

8

Максимальное сопротивление сток-исток

34 мΩ

Номер канала

Поднятие

Минимальное пороговое напряжение включения

1.2V

Максимальное рассеяние мощности

3,2 Вт

Конфигурация транзистора

Изолированный

Максимальное напряжение затвор-исток

-20 В, +20 В

Ширина

4мм

Количество элементов на ИС

2

Длина

5мм

Материал транзистора

Кремний

Типичный заряд затвора при Vgs

41,5 нКл при 10 В

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Высота

1.55мм

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Страна происхождения

China

Информация о товаре

Dual P-Channel MOSFET, Vishay Semiconductor

MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor