Техническая документация
Характеристики
Brand
VishayТип канала
N
Максимальный непрерывный ток стока
12.7 A
Максимальное напряжение сток-исток
25 В
Тип корпуса
SOIC
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Число контактов
8
Максимальное сопротивление сток-исток
9 мΩ
Номер канала
Поднятие
Минимальное пороговое напряжение включения
0.6V
Максимальное рассеяние мощности
2,5 Вт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
-12 В, +12 В
Количество элементов на ИС
1
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Длина
5мм
Ширина
4мм
Материал транзистора
Кремний
Типичный заряд затвора при Vgs
17,5 нКл при 4,5 В, 37 нКл при 10 В
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Высота
1.55мм
Страна происхождения
China
Информация о товаре
N-Channel MOSFET, 8V to 25V, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
Информация о наличии не успела загрузиться
Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)
P.O.A.
5
P.O.A.
5
Купить большой партией
Количество | Цена единицы |
---|---|
5 - 20 | P.O.A. |
25 - 95 | P.O.A. |
100 - 245 | P.O.A. |
250 - 495 | P.O.A. |
500+ | P.O.A. |
Техническая документация
Характеристики
Brand
VishayТип канала
N
Максимальный непрерывный ток стока
12.7 A
Максимальное напряжение сток-исток
25 В
Тип корпуса
SOIC
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Число контактов
8
Максимальное сопротивление сток-исток
9 мΩ
Номер канала
Поднятие
Минимальное пороговое напряжение включения
0.6V
Максимальное рассеяние мощности
2,5 Вт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
-12 В, +12 В
Количество элементов на ИС
1
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Длина
5мм
Ширина
4мм
Материал транзистора
Кремний
Типичный заряд затвора при Vgs
17,5 нКл при 4,5 В, 37 нКл при 10 В
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Высота
1.55мм
Страна происхождения
China
Информация о товаре